英諾賽科完成港股上市備案，寧德時代、Arm等參投，全球最大的氮化鎵芯片製造企業_風聞

中國證監會網站發佈關於英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司境外發行上市備案通知書。英諾賽科將計劃發行不超過106,539,400股普通股並在香港交易所上市。

公司51名股東擬將所持合計444,228,787股境內未上市股份轉為境外上市股份，並在香港聯合交易所上市流通。

英諾賽科完成境外發行上市後15個工作日內，應通過中國證監會備案管理信息系統報告發行上市情況。英諾賽科應當按承諾嚴格落實國家發展改革委、商務部等部門提出的整改要求，並在境外發行上市過程中嚴格遵守境內外有關法律、法規和規則。

英諾賽科自本備案通知書出具之日起12個月內未完成境外發行上市，擬繼續推進的，應當更新備案材料。

根據港交所上市規則，企業需在聆訊審批日期至少4個營業日之前需提交“備案通知書”，意味着英諾賽科已取得進行香港上市聆訊的前置要求，或很快在港交所進行上市聆訊。

綜合 | 證監會 招股書  編輯 | Echo

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此前，英諾賽科已向港交所主板提交上市申請，中金公司、招銀國際擔任聯席保薦人。

據招股書，英諾賽科是全球功率半導體革命的領導者，致力於氮化鎵功率半導體行業及生態系統的創新。公司是全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，公司於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

可再生能源和運算密集型應用的興起一直在改變世界，該趨勢導致對更高效更具經濟效益的功率半導體產品的需求激增。氮化鎵是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成為功率半導體行業持續變革的核心。

英諾賽科表示，憑藉公司不懈的創新和無可比擬的技術領先地位，公司設計、開發及生產若干類型的氮化鎵產品，包括分立器件、集成電路、晶圓及模塊。公司在廣泛領域（包括消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心）為客户賦能。

英諾賽科的IDM模式讓公司能夠對設計、製造到測試的整個過程進行自主控制。通過統一營運架構，IDM模式提供無與倫比的協調及協同作用，同時確保公司功率半導體產品的質量。其提供穩定的生產能力，通過協同設計和工藝迭代實現快速創新，並支持有成本效益的擴張。通過控制整個運營過程，IDM模式使公司能夠先於競爭對手快速瞭解並解決與產品應用相關的痛點，從而增強公司的先發優勢。

截至2023年12月31日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月10,000片晶圓。該能力使公司能夠以穩定的供應抓住不斷增長的市場機會，從而培養客户的信心。相較於6英吋硅基氮化鎵晶圓，公司先進的量產技術亦使晶圓晶粒產出數增加80%，單一器件成本降低30%，展示公司在氮化鎵產品持續創新及商業化方面的強大成本優勢和領導地位。

招股書顯示，英諾賽科不懈的創新和無可比擬的技術領導地位鞏固了公司在氮化鎵半導體行業的領先地位。通過長期致力於研發，公司在8英吋硅基氮化鎵工藝技術方面佔據市場領先地位。截至2023年12月31日，公司在全球有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

公司通過與多個行業的知名客户緊密合作，率先推出創新產品並提供獨特價值，率先擴大了氮化鎵產品的應用範圍。憑藉公司在氮化鎵技術方面的全面專業知識，公司設計、開發及製造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用於各種低中高壓應用場景，產品研發範圍覆蓋15V至1,200V。

根據弗若斯特沙利文的資料，英諾賽科是氮化鎵功率半導體產品的全球領導者，2023年的收入為人民幣5.93億元，佔氮化鎵功率半導體行業市場份額的33.7%。

截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，公司的累計出貨量超過5億顆。公司的氮化鎵產品在各應用領域獲得客户的認可，使公司於往績記錄期間實現強勁的收入增長。公司的收入主要來自氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路、氮化鎵晶圓及氮化鎵模塊的銷售。

公司的收入由2021年的人民幣6820萬元增加99.7%至2022年的人民幣1.36億元，並進一步增加335.2%至2023年的人民幣5.93億元。於2021年、2022年及2023年，公司的淨虧損分別為人民幣33.99億元、人民幣22.06億元及人民幣11.02億元。公司的經調整淨虧損（非香港財務報告準則計量）通過加回就發行予投資者的金融工具確認的負債賬面值變動及以權益結算以股份為基礎的付款開支進行調整，於2021年、2022年及2023年分別為人民幣10.81億元、人民幣12.77億元及人民幣10.16億元。

英諾賽科虧損主要是由於在實現規模經濟前生產設備大幅折舊；於往績記錄期間確認的大額研發開支；及於往績記錄期間銷售及營銷開支不斷增加。往績記錄期間產生的淨虧損反映公司對增長、技術提升及產品組合擴展的戰略重點，當中所有均為長期獲利能力建立基礎。

公司的氮化鎵產品有不同的產品形態，遍及全產業價值鏈，包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路(GaNIC)及氮化鎵模塊，顯示出公司為不同行業的客户（包括消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心）提供定製的氮化鎵解決方案的能力。

於往績記錄期間，公司的產品主要在中國內地銷售。隨着公司開始拓展境外，於2023年，公司的境外銷售收入達到人民幣5800萬元，佔同期總收入的9.8%。

英諾賽科經營所處的功率半導體行業競爭激烈，其特點是技術快速發展、客户需求和偏好迅速變化、新產品和服務頻繁推出，以及新行業標準和實踐不斷出現。此外，根據弗若斯特沙利文的資料，全球功率半導體行業高度集中，前十家公司的市場份額合計為66.9%。

公司提供廣泛的氮化鎵解決方案，包括晶圓、分立器件、集成電路及模塊。憑藉公司在氮化鎵技術方面的全面專業知識，公司設計、開發及製造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用於各種低中高壓應用場景，產品研發範圍覆蓋15V至1,200V。

公司與氮化鎵功率半導體解決方案提供者以及提供基於替代半導體材料的解決方案的市場參與者競爭。與無晶圓廠芯片設計公司的競爭對公司的資本投資及技術實力構成挑戰，同時突顯公司作為IDM的優勢，如協同設計及製造整合、確保產能及供應鏈穩定性、生產成本的規模經濟以及持續提升工藝及技術。同時，在對高能效材料不斷增長的需求、較低的解決方案成本及支持性政策的推動下，氮化鎵材料有望在下游應用中激增。

根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，公司於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，按收入計市場份額為33.7%。憑藉提供無與倫比的協調及協同效應的IDM模式、公司獨特且優秀的技術以及產業規模的商業化能力，公司相信公司已做好充分準備，在行業競爭中脱穎而出，並保持在氮化鎵功率半導體行業的最前沿。

自2017年成立以來，英諾賽科致力於建立量產能力及投資核心技術的研發，為抓住蓬勃發展的氮化鎵功率半導體產業的機遇打下基礎。因此，於2021年至2023年期間，隨着擴大公司的產能及產品供應，以及核心技術的成熟，公司開始受惠於規模經濟，收入大幅增長。

據英諾賽科官網資料，其投資者包括招銀國際、韓企SK集團、Arm、寧德時代等世界級投資方。

根據天眼查資料顯示，英諾賽科其他投資者可能還包括東方國資、珠海高新投、華業天成資本、中平資本、國民創投、鈦信資本、永剛集團、毅達資本、仕富資本、中天匯富、盛裕資本、富坤創投、高鵬資本、金地投資、東科半導體、賽領資本、興湘集團、海富產業基金、海通創新證券、中國-比利時直接股權投資基金等。

英諾賽科本次香港IPO募資金額將主要用於產能擴充及產品研發：一方面，英諾賽科擬將50%的募資資金用於擴大8英寸氮化鎵晶圓產能，計劃從截至2023年12月31日的每月1萬片晶圓擴大至未來5年每月7萬片晶圓，同時購買相應的生產設備及招聘生產人員，以滿足生產線運行需求。

另一方面，英諾賽科擬將15%的募資資金用於研發和擴大氮化鎵產品組合，通過招聘研發人員和推出新產品，進一步提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率。此外，英諾賽科還計劃將募集資金用於擴大分銷網絡、營運投入等用途。