國家電投：補全我國半導體產業鏈缺失的重要一環

9月10日，國家電力投資集團有限公司發文稱，近日國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，完成首批氫離子注入性能優化芯片產品客户交付。這標誌着我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業鏈中缺失的重要一環，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。

工程師進行晶圓離子注入生產國家電力投資集團有限公司公眾號

文章稱，氫離子注入是半導體晶圓製造中僅次於光刻的重要環節，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品製造過程中起着關鍵作用，該領域核心技術及裝備工藝的缺失嚴重製約了我國半導體產業的高端化發展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創芯的技術突破，打破了國外壟斷。

國家電投表示，核力創芯在遭遇外國關鍵技術及裝備封鎖的不利條件下，堅持自力更生，自主創新，打造新質生產力，在不到三年的時間裏，突破多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術和100%裝備國產化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發平台。首批交付的芯片產品經歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用户高度評價。

企查查顯示，核力創芯成立於2021年，註冊地位於江蘇省無錫市，是國家電投集團核技術應用產業重點項目——功率芯片質子輻照項目的承建單位，註冊資本7022.63萬元。