常洛聞：中國偷韓國半導體技術？看看三星的代工良率再説

【文/觀察者網專欄作者 常洛聞】

近期，中國外交部證實一名50多歲韓國僑民A先生，於去年年底因間諜嫌疑在中國被捕。

根據媒體信息，A某現居安徽省合肥市，在當地一家半導體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。其曾就職於三星電子半導體部門擔任離子注入技術員20餘年，2016年移居中國，並加入中國最大的存儲器製造商長鑫存儲（CXMT），隨後他離開長鑫存儲，又在另外2家中國半導體公司任職。

2023年12月18日，合肥市國家安全局的調查人員以間諜罪名逮捕了A先生，並在當地一家酒店隔離審訊了5個多月，隨後於2024年5月被檢察機關移送拘留，預計於2024年11月正式受審。合肥市國家安全局懷疑，A某在長鑫存儲工作期間，曾向韓國泄露長鑫存儲的半導體相關資訊，A某則堅稱自己在中國沒有接觸過任何核心半導體技術。

中國新修訂的《反間諜法》於2023年7月生效，新法將間諜行為的範圍從“竊取國家機密和資訊”擴大到包括轉移任何與“國家安全和利益”有關的文件、資料、材料和物品，即使它們不屬於國家機密範疇。

如果A某在後續審判中被判入獄，他將成為第一個因為違反中國新修《反間諜法》受到處罰的韓國人。過去在中國間諜相關犯罪的審判通常需要數年時間，具體的刑期達到3-10年或更長。

在韓國韓聯社等媒體，以及韓國大學、研究機構對外媒的採訪中，都稱長鑫存儲的技術落後於三星半導體，所以向三星泄露長鑫相關的商業機密不太可能。而A先生的被捕，與韓國檢方在今年1月遭起訴的前三星電子部長金某的事件相似，當時金某涉嫌將三星電子內存技術泄露給長鑫而被逮捕。

類似的案件還有2023年12月，韓國檢察院以涉嫌違反韓國《防止和保護工業技術泄露法》，將2兩名從中國返回韓國的前三星電子韓籍員工逮捕，指控他們涉嫌向中國廠商泄露了三星16nm DRAM技術機密。另一起案件當中，三星和SK海力士前高管亦遭指控，涉嫌利用竊取的三星DRAM技術在中國建廠而被捕。

今年10月初，韓國政府還推出了最新一攬子措施，以追查和懲罰向外國廠商泄漏關鍵技術的行為，其中已有10起與中國有關。暗指中國的反間諜案是對韓國追隨美國，配合美國技術封鎖的報復行為。

三星半導體業務難以為繼

是不是報復，很難定論。但美國對中國的技術封鎖效果如何，韓國企業是否從中獲益，路是越走越寬，還是越來越只能“一條路走到黑”，卻有比較客觀的數據可以觀察。

三星電子2024年第三季度財報顯示，期內實現營收79.10萬億韓元，同比增長17%、環比增長7%；經營利潤9.18萬億韓元，同比增長278%、環比減少12%；淨利潤10.10萬億韓元，同比增長73%、環比增長3%。

三星主要業務營業利潤表現

繼上半年大起大落，疫情期間積累的壓力並沒有快速消融之外，三星本身的經營似乎也遇到了前所未有的結構性問題。從旗下具體業務看，三星半導體業務經營利潤出現了較大程度環比下滑，由於公司其他業務在當季度的環比盈利增速均低於1%，由此拖累了公司整體利潤表現。

相比之下，同被稱為“韓國雙雄”的另一家存儲巨頭SK海力士，則一路高歌猛進。第三季度，SK海力士實現營收17.57萬億韓元，同比增長94%、環比增長7%；經營利潤7.03萬億韓元，同比大幅扭虧（上年同期為虧損1.792萬億韓元）、環比增長29%。

兩家公司整體收入有較大差異，源於三星還有其他如顯示、手機等多元業務支撐，半導體業務承壓已經無法掩蓋。而SK海力士得以快速成長，甚至在頭部存儲廠商中率先得以實現扭虧，背後是面向AI時代的技術準備和驗證速度快於同業。三星顯然看到了半導體業務正面臨競爭壓力，近期更換了業務主管，也在積極推進向英偉達的HBM驗證工作。

展望第四季度，三星稱將密切監測需求趨勢，例如關注地緣政治和刺激計劃等因素。加速改善業務基本面，推動舊生產線向更高節點遷移，以此增強盈利能力，並加速推動庫存水平和產品組合的正常化；同時擴大HBM的產能以推進銷售增長，並加速向基於32Gb DDR5的高密度服務器需求的1b納米過渡。

三星存儲業務盈利能力下滑，難免讓人聯想到前不久摩根士丹利率先喊出“存儲寒冬將至”的預測。這種“狼來了”雖然有些悲觀，但確實有“狼”要來吃掉現有芯片巨頭的利潤。

“跟車”美國太緊，三星的方向盤不好握

目前全球芯片市場的份額超過一半被美國企業佔據，但美國公司芯片製造產能卻只佔比10%左右。這中間的巨大鴻溝是靠台積電代工來填平，比如蘋果、高通、AMD、英偉達的先進芯片，全部由台積電製造，連intel的大多數芯片都外包給台積電製造。

現任拜登政府“重振芯片”的思路，和特朗普的“讓美國再次偉大”邏輯上沒有本質區別，拿出530億美元，吸引全球的芯片企業到美國來建廠製造芯片，以提高美國的芯片產能，解決美國芯片空心化的問題，其中對韓國三星、台灣省的台積電甚至不惜威逼利誘，將“友岸外包”變成了一條繮繩。美國國內的美光等也積極響應，拜登政府的530多億美元中有300多億美元發給了10多家企業，還提供了200多億美元的税收補貼及無息（低息）貸款等給上下游公司。

可是隨着拜登不再謀求連任，民主黨和共和黨在選戰中也拉不開實質差距，這讓在美國投入重金的外國芯片企業非常難受——特朗普曾經不止一次表示芯片法案糟糕透了，拜登是在利用納税人的錢，向富裕的企業提供數百億美元的補貼，這種做法吸引不到優秀的企業。特朗普認為，應該“取消”《芯片和科學法案》，增加關税，迫使芯片企業到美國來建廠，而不是把納税人的錢，發給這些企業。而且應該收回已經發出的補貼和貸款，讓企業真正回到“自由市場”中去公平競爭。

三星作為拜登政府政策的得益者，現在就有“跟車太貼”的憂慮。2021年11月，三星曾經高調宣佈，在得克薩斯州泰勒投資170億美元，建立一座先進晶圓工廠，這一工廠得到了拜登政府64億美元的注資承諾，本計劃2024年年底投產，但目前已經推遲至2026年“具備運行能力”。

泰勒工廠計劃受阻的原因，是2nm良品率存在嚴重問題，三星半導體9月份已決定從泰勒工廠撤出人員，這標誌着其先進的代工業務遭受重大挫折。

三星對於美國泰勒工廠的最初設想，是4nm以下先進工藝的大規模生產中心，目的是靠近主要的美國客户，為他們提供本地化的製造服務。然而，儘管工藝開發迅速，但三星仍面臨2nm良率的挑戰，與其主要競爭對手台積電相比，不僅性能較低且量產能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低於50%，尤其是3nm以下的工藝，而台積電的3nm工藝良率約為60-70%。這種良率差距，將兩家公司之間的市場份額差距擴大到50.8個百分點，台積電在第二季度佔據了62.3%的全球代工市場，而三星僅為11.5%。

報道稱，為了解決良率問題，三星董事長李在鎔親自拜訪了ASML和Zeiss等主要設備供應商，努力尋找工藝和良率改進的突破口。儘管做出了這些努力，但並未取得重大成就，而且將人員重新部署到泰勒工廠的時間仍不確定。

相比之下，台積電位於美國亞利桑那州的第一座晶圓廠，在今年4月就已經開始基於4nm製程進行工程測試晶圓的生產，其良率已經與台積電位於中國台灣的南科廠良率相當。

而拜登政府的投資承諾，法律上是由美國商務部出面，與三星電子簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片和科學法案》向三星電子提供總額64億美元的直接補貼資金，以加強美國半導體供應鏈的彈性，推進美國的技術領導地位，並增強美國的全球競爭力。

作為協議的一部分，三星承諾未來幾年將在美國德克薩斯州投資金額，由原來的170億美元提升至超過400億美元，擬議的投資將把三星在德克薩斯州的現有業務轉變為一個全面的生態系統，用於在美國開發和生產尖端芯片，包括兩個新的領先邏輯晶圓廠、一個研發工廠和一個位於泰勒市的先進封裝工廠，以及擴建他們現有的奧斯汀工廠，預計將支持創造超過20,000個就業機會。

現在生產方面出現嚴重遲滯，大選又將給《芯片和科學法案》是否存續帶來巨大不確定性，64億的承諾恐怕大概率難以全部落實，面對國內SK海力士的奮起直追，中國同行的步步緊逼，三星半導體目前似乎也沒有別的辦法，只有勸自己“開弓沒有回頭箭”，繼續在美國加大下注力度。

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