宜鼎專為邊緣服務器應用推出E1.S固態硬盤
平衡散熱與效能表現、補足邊緣AI市場斷層
深圳2024年11月14日 /美通社/ -- 隨AI與5G技術發展，在數據吞吐量大幅提升、處理需求愈加碎片化的趨勢下，邊緣計算正蓬勃增長。有鑑於此，全球AI解決方案與工業級存儲領導品牌宜鼎國際 （Innodisk）推出E1.S邊緣服務器固態硬盤 (SSD)，在散熱與出色效能之間取得最佳平衡，填補上目前在傳統工控SSD與數據中心SSD間的市場斷層，並以此款為邊緣應用打造的創新解決方案獲得2025年台灣精品獎殊榮。宜鼎E1.S SSD具備最高8TB的大容量，可提供較傳統SSD約 2到3倍的高存儲密度，大幅提升1U服務器的內部空間使用效率；此外，在外型規格方面，E1.S SSD採用創新的EDSFF標準，與一般U.2規格相比，可突破其效能瓶頸及信道數量限制、亦較常見M.2規格更能有效解決散熱等問題，預期將躍升為新世代服務器應用的主流規格。
針對邊緣端的環境不確定性，宜鼎E1.S SSD特別支持-40~85°C 寬温範圍，搭載特殊散熱片設計與動態温控調頻機制(Dynamic Thermal Throttling)，確保在極端條件下也可穩定運作。宜鼎E1.S SSD鎖定邊緣服務器、1U系統，適用於運輸工具、户外自動化設備等高温、高震動的環境或窄小的NAS設備。此外，更可作為數據中心啓動盤，直接安裝於系統外側插槽、透過熱插入功能實現最小化的停機時間，並結合宜鼎研發的SSD事件日誌、自我檢測、在線更新固件等輔助功能，讓維護及故障排除更加輕鬆即時。
銜接市場缺口，結合前瞻規格*/低延遲/*寬温支持
隨着傳輸接口與速度演進，對於追求高存儲密度、高效能的邊緣計算而言，散熱問題也至關重要。放眼存儲市場，宜鼎E1.S SSD採用的EDSFF屬於相對先進的新規格，不僅效能提升，在散熱、存儲密度、維護便利性等層面，都較傳統的M.2和U.2等規格更具優勢。考慮到邊緣服務器相較於數據中心，所屬環境條件較不固定、且系統空間較小而不易散熱，E1.S SSD融合宜鼎在工業級領域的成熟技術，可提供-40至85°C的寬温支持，比一般企業級SSD更能解決邊緣服務器的過熱問題。
宜鼎工控Flash事業處總經理吳錫熙表示：“宜鼎已在全球工控存儲市場佔有領先地位，如今進一步鎖定邊緣服務器市場，研發E1.S SSD，目標是在一般工控SSD與數據中心SSD之間開創全新定位，使其完整具備邊緣端所需的低延遲、大容量、高耐用度等優勢。不僅將宜鼎既有的工控級SSD產品技術往前推進，更象徵宜鼎存儲解決方案已可跨足邊緣服務器市場，滿足目前因邊緣AI觸發的需求缺口、開拓全新商機。”
高DWPD、固件高度客製化，可根據邊緣環境需求，優化散熱*/*效能比重
宜鼎E1.S SSD以1 DWPD的高耐用度，支持大量寫入需求，並採用嚴選的工規等級NAND顆粒，透過固件調整、確保符合企業級工作負載的壽命需求。同時，相較業界同級產品大多采用芯片原廠的制式化固件，面對異常或客訴僅能依賴原廠處理；宜鼎E1.S SSD則採用自家研發的固件，因此具備高度客製化彈性、並可更快排除異常狀況。此外，更可根據客户端的不同邊緣環境，加以調校SSD在散熱與效能之間的比重，幫助各垂直市場的邊緣系統從容處理由5G、AI帶進的海量數據。
支持新世代邊緣服務器、IPC應用及數據中心繫統啓動
宜鼎E1.S SSD可支持熱插入，為企業節省邊緣服務器的升級時間及費用成本，同時亦適用於數據中心作為啓動盤，企業可依需求導入400GB至8TB的多種容量選項。此外，宜鼎E1.S SSD具備廣泛的系統支持性，已針對多家新世代的高效能工業計算機與邊緣服務器取得驗證，並導入新款NVIDIA MGX 短機身邊緣AI服務器，透過前瞻規格，與眾多夥伴共同開啓計算新頁。
除了E1.S 外型尺寸外，宜鼎針對邊緣服務器SSD更推出E3.S規格選項，以完整因應客户系統需求；未來亦將推出SMBus功能以支持遠程監控；持續透過專為邊緣環境打造的解決方案，為邊緣計算、邊緣AI等應用領域賦能。
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關於Innodisk宜鼎國際
Innodisk宜鼎國際為全球AIoT解決方案與工業級存儲領導品牌，營運總部設於台灣，事業版圖遍及全球。自2005年成立以來，宜鼎國際已取得全球工業數據存儲裝置市佔第一的領導地位[1]，旗下工業級內存模塊亦為全球前十強。如今隨AI浪潮席捲全球，宜鼎國際更致力結合專業技術與洞察，以專業的軟、硬件及固件團隊，為企業量身訂製最佳方案，致力透過軟硬整合的核心精神，成為推動全球AIoT解決方案的先驅，全面佈局AIoT應用市場、攜手產業夥伴共築智能化世界。關於宜鼎國際相關產品、技術、AIoT應用案例等詳細信息，請參閲 http://www.myinnodisk.cn
[1] 自2018年起，Gartner全球市場調查報告中指出，宜鼎國際已連續五年蟬聯全球工業級SSD市場市佔率排名第一。
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