美光開始大規模生產用於英偉達人工智能半導體的存儲芯片 | 路透社

一部智能手機上顯示着Micron標誌，放置在一塊計算機主板上，這是2023年3月6日拍攝的插圖。路透社/Dado Ruvic/插圖/檔案照片 2月26日（路透社）- Micron Technology (MU.O)已開始大規模生產其用於Nvidia最新人工智能芯片的高帶寬存儲器半導體，這一消息推動其股價在週一開盤前上漲超過4%。HBM3E（高帶寬存儲器3E）將比競爭對手的產品消耗少30%的功率，Micron表示，這有助於滿足對用於生成式人工智能應用的芯片需求激增。

Nvidia (NVDA.O)將在其下一代H200圖形處理單元中使用該芯片，預計將於第二季度開始發貨，並取代目前推動芯片設計師收入大幅增長的H100芯片。用於人工智能的高帶寬存儲器（HBM）芯片的需求，由Nvidia供應商SK Hynix領導的市場，也提高了投資者對Micron能否應對其其他市場緩慢復甦的希望。

HBM是Micron最賺錢的產品之一，部分原因是其製造過程中涉及的技術複雜性。

該公司此前表示，預計在2024財年HBM收入將達到“數億美元”，並在2025年繼續增長。