獨家：消息人士稱，三星將採用SK海力士青睞的芯片製造技術，隨着人工智能芯片競賽的升温| 路透社

人們在拉斯維加斯，內華達州，美國參加CES 2024期間經過三星電子展台，這是一年一度的消費電子交易展覽。2024年1月9日。路透社/史蒂夫·馬庫斯/文件照片首爾，3月13日（路透社）- 三星電子(005930.KS)計劃使用競爭對手SK海力士倡導的芯片製造技術，五人表示，作為全球頂尖的存儲芯片製造商，三星尋求在生產用於驅動人工智能的高端芯片的競賽中趕上。隨着生成式人工智能的普及，對高帶寬存儲器（HBM）芯片的需求激增。但與同行SK海力士(000660.KS)和美光科技(MU.O)不同，三星在與AI芯片領導者英偉達(NVDA.O)達成任何交易以供應最新的HBM芯片方面一直缺席。分析師和行業觀察者表示，三星落後的原因之一是其決定堅持使用稱為非導電膜（NCF）的芯片製造技術，這導致了一些生產問題，而海力士則轉向了質量回流模壓下填充（MR-MUF）方法來解決NCF的弱點。

然而，據三位直接瞭解此事的消息人士透露，三星最近已經發布了用於處理MUF技術的芯片製造設備採購訂單。

“三星不得不採取措施來提高其HBM（生產）產量…採用MUF技術對三星來説有點像是一種放下身段的事情，因為它最終採用了SK海力士首先使用的技術，“消息人士之一説。

根據幾位分析師的説法，三星的HBM3芯片生產產量約為10-20%，而SK海力士的HBM3生產已經獲得了約60-70%的產量率。

HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求量很大。它們與核心微處理器芯片捆綁在一起，幫助處理大量的生成式人工智能數據。

一位消息人士表示，三星還在與包括日本長谷等材料製造商進行談判，以採購MUF材料，補充説，使用MUF進行高端芯片的大規模生產可能要等到明年最早，因為三星需要進行更多測試。三位消息人士還表示，三星計劃為其最新的HBM芯片同時使用NCF和MUF技術。

三星表示，其內部開發的NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”，將用於其新的HBM3E芯片中。三星在一份聲明中表示：“我們正在按計劃開展HBM3E產品業務。”

英偉達和長谷拒絕置評。

所有消息來源都要求匿名，因為這些信息不是公開的。

三星計劃使用MUF凸顯了其在人工智能芯片競賽中面臨的日益增加的壓力，根據研究公司TrendForce的數據，HBM芯片市場今年預計將增長一倍以上，達到近90億美元，受到與人工智能相關的需求的推動。

NCF VERSUS MUF

非導電薄膜芯片製造技術已被芯片製造商廣泛使用，以在緊湊的高帶寬內存芯片組中堆疊多層芯片，利用熱壓縮薄膜有助於減少堆疊芯片之間的空間。

但隨着添加更多層次，粘合材料常常會出現問題，製造變得更加複雜。三星表示其最新的HBM3E芯片有12層芯片。芯片製造商一直在尋找替代方案來解決這些弱點。

SK海力士成功地在其他公司之前轉向了大規模迴流模壓填充技術，成為首家向英偉達供應HBM3芯片的供應商。

根據KB證券分析師Jeff Kim的估計，SK海力士在HBM3和更先進的HBM產品中為英偉達的市場份額今年估計超過80%。

美光上個月加入了高帶寬內存芯片競賽，宣佈其最新的HBM3E芯片將被英偉達採用，用於驅動後者的H200張量芯片，這些芯片將在第二季度開始發貨。

根據四位消息人士之一和另一位瞭解討論情況的人士的説法，三星的HBM3系列尚未通過英偉達的供貨交易資格認證。

投資者也注意到了其在人工智能芯片競賽中的挫折，其股價今年下跌了7%，落後於漲幅分別為17%和14%的SK海力士和美光。

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