SK海力士將在韓國投資38.6億美元用於DRAM芯片生產 | 路透社

員工走過SK海力士（SK Hynix）總部的標誌，位於韓國城南，2016年4月25日。路透社/金洪智/檔案照片 首爾，4月24日（路透社）- 韓國存儲芯片製造商SK海力士 (000660.KS)計劃投資5.3萬億韓元（38.6億美元）在韓國建立一個新的動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片生產基地，該公司週三表示。Nvidia (NVDA.O)供應商計劃在4月底開始在名為M15X的芯片工廠進行建設，並計劃在2025年11月前投入量產。包括計劃逐步增加設備投資，公司聲明稱，新生產基地的總投資預計將在長期內超過20萬億韓元。

由於芯片行業低迷，去年SK海力士將年度投資削減了50%，並於去年10月表示，2024年的增長將保持最低水平。

儘管芯片製造商對限制投資持謹慎態度，但用於訓練人工智能（AI）系統的圖形處理單元（GPU）中使用的高帶寬存儲器（HBM）芯片的需求非常高，以至於公司現有產能今年和明年大部分時間都已被預訂。

SK海力士表示，新的生產基地旨在增加DRAM產能，重點放在HBM上。

全球第二大內存芯片製造商預測HBM市場年增長率超過60%，通用DRAM需求穩步增長，以服務器高容量芯片產品為主。

SK海力士計劃在週四公佈1月至3月季度收益。

（1美元=1,371.84韓元）

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