科技戰：美國擬限制先進存儲芯片出口，中國AI發展再遇新挫折 | 南華早報

隨着美國準備實施新規限制韓國向中國企業出口先進存儲芯片，中國發展國產人工智能(AI)半導體的努力正面臨新的挫折。

業內人士表示，如果韓國的高帶寬內存(HBM)芯片供應因美國新規而中斷，由於缺乏國內替代品，中國大陸將陷入困境。HBM芯片是採用先進封裝技術垂直連接的動態隨機存取存儲器(DRAM)，是圖形處理器(GPU)和其他AI加速器的關鍵組件。

據路透社上週報道，華盛頓正在考慮新的出口規則，限制此類芯片對華出口。一些中國AI芯片企業已被切斷7納米節點的境外晶圓代工服務，而7納米工藝對開發先進AI半導體至關重要。長鑫存儲研發的低功耗雙倍數據速率同步DRAM。圖片來源：資料圖片

台灣研究機構集邦諮詢數據顯示，韓國存儲芯片巨頭SK海力士和三星電子主導着HBM供應，2023年各佔全球48%市場份額。中國在存儲芯片領域高度依賴韓國，三星和SK海力士在人工智能芯片熱潮中，上半年在華銷售額均實現激增。加拿大研究機構TechInsights高級分析師崔正東表示：“如果中國無法進口HBM，將在中短期內受到衝擊。中國使用的HBM芯片主要來自三星和SK海力士，尤其是HBM2和HBM2E型號。”

儘管獲得政府強力資金支持，中國領先的DRAM製造商長鑫存儲技術(CXMT)仍未能實現HBM的量產能力。該公司的技術落後韓國競爭對手至少兩代，儘管自2023年以來一直在努力追趕。根據美國投行摩根士丹利分析師Shawn Kim、Duan Liu和Michelle Kim週一發佈的報告，長鑫存儲正與國內一家芯片封裝測試企業合作，致力於開發首款國產HBM芯片。