華為擬與中芯國際合作開發3納米級製程芯片 | 聯合早報
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(北京綜合訊)美國科技網站披露,華為公司與中國芯片製造商中芯國際,計劃合作開發3納米級製程芯片。
美國科技網站Tom’s Hardware星期二(5月28日)報道,今年早些時候,華為與中芯國際送交名為自對準多重圖案化(SAQP)芯片專利。藉助這項技術,華為和中芯國際可以使用現有的深紫外光刻機(DUV)生產3納米級製程芯片。
報道稱,與華為合作的中國芯片製造設備開發商深圳新凱來公司(SiCarrier)也獲得了SAQP專利,這證實了中芯國際計劃將該技術用於未來的芯片製造。
SAQP指的是在硅片上反覆雕刻線條,以提高晶體管的密度,降低功耗,從而提高性能。
韓國《中央日報》今年3月報道稱,中芯國際已組建了3納米級製程芯片的研發團隊,推測應該是使用美國對中國半導體實施出口管制之前所囤積的舊設備來生產高端芯片。
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Tom’s Hardware稱,英特爾在2019年至2021年的10納米級製程芯片上,也嘗試過類似SAQP的方法,但由於良率等問題宣告失敗。不過,SAQP對華為和中芯國際仍至關重要,因為這些中國企業無法獲得最先進的光刻機。