中國國產光刻機取得突破 未透露良率 | 聯合早報
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美國及盟友擴大對華半導體限制之際，中國官方宣佈推廣一款套刻不大於8納米的國產光刻機。受訪專家認為，這意味着中國取得科技突破，但官方未透露良率信息，顯示其可能不具備國際競爭力。
中國工業和信息化部上星期一（9月9日）在官網發佈首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄，要求各地和中央企業加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同，促進重大技術裝備創新發展和推廣應用。
目錄顯示，在集成電路生產裝備分類中，一款氟化氬光刻機的核心技術指標，包括65納米以下分辨率和8納米及以下套刻能力。
相關消息上週末經由中國自媒體轉發後，在中國網絡引發關注。一些中國網民認為，這意味着該設備理論上可以用於生產“8納米及以下的芯片”，是對荷蘭和美國的反擊，併為此感到振奮。
中國半導體行業媒體“芯智訊”星期天（9月15日）發文分析，從官方披露的參數來看，這款光刻機“最多隻能幹到55納米制程”，不能製造8納米芯片。“很多網友直接把套刻精度跟光刻製造製程節點水平給搞混了。”
延伸閲讀
中國不滿荷蘭擴大光刻機出口管制 將矛頭指向美國 [媒體：美國擬擴大對華晶片出口限制
](https://www.bdggg.com/2024/zaobao/news_2024_08_02_698245)
荷蘭芯片設備供應商阿斯麥（ASML）幾乎壟斷這類光刻機的市場，並且從2019年以來被禁止向中國出口該設備。有分析認為，中國若可實現8納米及以下芯片的生產，未來多數芯片的製造將無需受制於阿斯麥。
上述目錄公佈的三天前，荷蘭宣佈擴大阿斯麥兩款光刻設備的出口許可要求，使荷蘭方面的規則與美國去年單方面對這些機器實施的出口限制保持一致。中國商務部之後表示不滿，並呼籲荷蘭不濫用出口管制措施。
資深半導體產業顧問陳子昂接受《聯合早報》採訪時説，中國大陸這款光刻機的精準度和良率指標目前並不清楚，“像這樣的新聞過去20年看太多了”。他指出，台灣和韓國也在生產光刻機，但因良率不高很難取得市場。“它是個里程碑，可以當做一個科技突破的信號，但不是一個具有國際競爭力的產品。”
開源證券研究所前副所長、電新首席分析師劉翔星期天在個人微信公眾號分析，這款光刻機被安放在數百個設備名單中，沒有特別強調出來，很難説是一個很突出、值得“熱淚盈眶”的品類，光刻機相關製造企業依然任重道遠。
台積電前工程師、蓉和半導體CEO吳梓豪星期天在個人微信公號發文稱，在技術指標上，這款光刻機落後國際主流同水平產品超過15年以上。不過他認為，第一代的中國國產氟化氬光刻機落後不要緊，“未來還有第二代第三代”。
吳梓豪説，中國舉國之力發展光刻機確實有優勢，但作為落後的追趕者，“不要盲目樂觀，不要聽信虛華浮誇的宣傳，尊重科學與事實，整個行業都在奮發努力，壓根不需要網民們的吹捧，這沒有任何幫助”。
陳子昂認為，這款光刻機仍代表中國大陸在“卡脖子”技術上有所突破，至於能否趕上荷蘭和日本的水平，“很難説，至少過去30年，台灣跟韓國看來是無法突破”。