台積電亞利桑那廠晶片良率傳超越台灣 | 聯合早報

台積電位於美國亞利桑那州第一座廠的初期良率已超過台灣同類工廠，對最初深受延誤和勞資糾紛困擾的美國擴建項目而言是重大突破，同時表明美國重振本土晶片製造初見成效。

彭博社星期五（10月25日）引述一名活動參與者透露，台積電美國分部總裁卡西迪（Rick Cassidy）星期三（23日）在一場網絡研討會中告訴聽眾，台積電鳳凰城廠生產的晶片良率比台灣同類工廠高出約4個百分點。

良率是半導體產業的關鍵衡量標準，並決定公司是否能夠承擔晶片廠的鉅額成本。

這項成就標誌着華盛頓重振美國半導體制造的努力取得進展。台積電是英偉達和蘋果的主要晶片製造合作伙伴，預計將贏得66億美元（87億美元）的政府補助和50億美元的貸款，另還有25％税收抵免，在亞利桑那州將建造三座晶圓廠。

台積電發言人拒絕直接就卡西迪的活動發表評論，但提及總裁魏哲家上週在投資者電話會議上的説法。

魏哲家當時表示，第一座廠於今年4月採用4納米制程進行工程晶圓生產，具備非常好的良率。這對於台積電和客户來説是一個重要的里程碑，展示了台積電強大的製造能力和執行力。

台積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠，將於2025年上半年開始生產4納米制程技術；第二座晶圓廠採用最先進的2納米制程技術，將在2028年投產。

台積電今年4月發表聲明，計劃在美國亞利桑那州蓋第三座先進晶圓廠，在當地總投資金額將超過650億美元。這是亞利桑那州史上規模最大的外國直接投資案，也是美國史上規模最大的外國在美直接綠地（greenfield）投資案。