中國的CXMT內存芯片突破超越美國出口管制 - 彭博社

DDR5是目前由包括SK海力士和三星在內的行業領導者提供的主流DRAM產品。

攝影師：SeongJoon Cho/Bloomberg長鑫存儲科技有限公司在美國出口管制旨在限制中國公司的能力的情況下，推進了其芯片製造技術。

CXMT的DDR5動態隨機存取存儲器技術，出現在Gloway提供的內存模塊中，要求採用在中國市場上前所未見的先進製造技術，根據總部位於加拿大的諮詢公司TechInsights的研究。

“這意味着他們找到了在商業規模上設計和製造這個芯片的獨特方法，”TechInsights的一位代表告訴彭博新聞。“TechInsights沒有預期在2025年末或2026年初看到這種內存。”

這一發現突顯了中國公司在面對廣泛的美國出口管制時如何發展出韌性，這些管制旨在限制中國的芯片製造能力。這些阻止了美國公司提供能夠製造具有18納米或更小“半間距”距離的DRAM芯片的技術或設備，未經華盛頓的批准。CXMT的最新芯片具有16納米半間距。採用更小納米距離製造的半導體提供更好的性能和功率密度。

中國人工智能初創公司DeepSeek本週震驚了世界，其模型聲稱與領先的美國開發者如OpenAI在一系列行業基準測試中相媲美或超越。

DDR5於2020年首次商業化，現在是行業領導者如SK海力士公司和三星電子公司提供的主流DRAM產品。它可用於製造AI加速器所需的高帶寬內存芯片，這些加速器由Nvidia公司等公司開發。

然而，根據TechInsights的説法，CXMT的最新技術落後於韓國的雙雄和美國的美光科技公司約三年。

在同一項研究中，TechInsights還發現長江存儲科技公司在與行業領導者的競爭中變得更加有競爭力。

CXMT的突破緊隨其他中國公司在先進技術方面的成就，包括華為技術有限公司與中芯國際集成電路製造有限公司共同開發的尖端7納米處理器。