三星誓言通過新品發佈重奪AI內存市場地位——彭博社

三星HBM3E內存芯片。攝影師：SeongJoon Cho/彭博社三星電子承諾今年將鞏固其在高速帶寬芯片市場的地位，以回應該公司股東對其在利潤豐厚的人工智能領域表現不佳的批評。

芯片業務負責人全永鉉表示，三星計劃最早在今年第二季度供應增強型12層HBM3E芯片，並目標在下半年生產尖端HBM4芯片。他在週三的年度股東大會後正式被任命為這家韓國最大企業的聯席首席執行官。

全永鉉承認，三星未能在HBM市場取得早期領先地位是其落後於競爭對手SK海力士的原因之一。他強調三星不會在下一代HBM4和定製芯片上重蹈覆轍。HBM4內存預計將集成到英偉達即將推出的Rubin GPU架構中。SK海力士正積極爭取成為英偉達HBM4的主要供應商，並宣佈已提前向主要客户交付全球首批12層HBM4樣品。

三星已決定修改HBM3E芯片設計以獲得英偉達認證。由於三星正努力追趕英偉達AI芯片首選合作伙伴海力士，其認證過程歷時已久。在今年拉斯維加斯CES展會上，英偉達CEO黃仁勳表示三星必須重新設計。“但他們能做到。他們進展非常快，對此非常投入。“他補充道。

Jun還預測，受強勁的AI和移動需求驅動，內存市場將在未來幾個季度復甦，他預計這將推動三星在下半年的盈利。

HBM對高性能計算任務至關重要，併為內存製造商提供了一個有利可圖的方式，參與到AI訓練和開發的大量支出中。與其他類型的內存不同，其生產難度使其具有高利潤性，並且不易受到供需平衡大幅波動的影響。