硬盤可能要降價？強如三星，也得向國內廠商“借”技術了_風聞

 昨天差評君在網上衝浪的時候，看到這樣一條重磅新聞 —— 

三星和長江存儲突然官宣合作，而且在三星接下來推出的存儲產品（ NAND 閃存芯片 ）中，很可能就會用上來自長江存儲的專利。

好傢伙，一個是全球半導體行業老大哥，一個是中國存儲芯片領域黑馬，我相信很多人肯定都好奇，它倆咋突然搞在一起了，要知道，長江存儲人送外號 “ 價格屠夫 ”，一度讓硬盤價格斷崖式下跌。

 難不成存儲行業馬上要變天，固態硬盤真要變成 “ 白菜價 ” ？

各位正打算擴容或者裝機的差友先別激動，雖然目前它倆還沒有通過官方渠道表態，而且國內所有新聞來源，基本上都是來自一個定位和 The Verge 類似的韓媒 ZDNet。

 但我這兩天仔細研究了一下，發現這件事兒即使現在不是真的，過幾年也很有可能成真 —— 因為估計三星自己都沒想到，之前它居然給自己挖了個大坑，現在只能硬着頭皮跳進去。。。

而這故事呢，得從三星瘋狂 “ 蓋樓 ” 開始説起。

很多差友應該都知道啊，你手機裏存了好幾年的初戀合照，微信里舍不得刪的聊天記錄，甚至從 Steam 上下的各種 3A 大作，能安穩保存到今天，基本全靠指甲蓋大小的 NAND 閃存芯片。

這種 NAND 閃存芯片一般被廣泛應用於固態硬盤，作為數據存儲的核心部件，包括咱們手機上用的也是這種，很顯然，咱們對存儲的需求肯定是容量越大越好，要是價格能再便宜些就更好。

 而過去二十多年，芯片廠商為了突破 “ 容量-成本 ” 的物理極限，搗鼓出了兩條主流技術路線。

一種是在一個平層裏塞進更多數據，這也是咱們買固態硬盤經常會看到的 SLC、MLC、TLC 還有 QLC，從 SLC 到 QLC，它們的成本依次降低，但與此同時使用壽命和讀寫速度也會跟着下降。

就好比一座房子，SLC 是一個房間只住個 1 人，讀寫速度快、壽命也長，但就是造價太高，MLC 則是一間房住 2 人，讀寫性能和成本都處於中間水平，而 TLC 和 QLC 則是分別住 3 和 4 人。

前幾年通過 TLC 和 QLC 技術的應用，硬盤性價比有過一段時間的持續提高，但是目前來看四層單元的 QLC 已經快到頭了，原因一個是邊界效應越來越明顯，另一個是數據的穩定性不斷下降。

舉個例子，從 TLC 升級到 QLC，容量可以提升 30%，但從 QLC 進一步升級到 PLC，容量就只能提升 25%，而且 QLC 還能保證單單元 1000 次的反覆讀寫，但到 PLC 據説就只能保證幾十次。

 就在平層技術快撞到 “ 天花板 ” 的時候，另一種技術就開始派上用場 —— 3D NAND。

這技術説起來也不難理解，就好比原先是一座平房，房間數撐死也就這些，能容納的人數也就是數據有限，但現在不侷限於在平地折騰了，而是往上不斷蓋樓，蓋的樓越多，容量照樣能上來。

而作為存儲界的 “ 扛把子 ”，三星早在 2013 年，就正式宣佈推出已經量產的 24 層堆棧 TLC V-NAND 閃存（ 這裏的 V 代表 Vertical ，垂直的意思 ），正式開啓了閃存芯片的 “ 堆疊戰 ”。

 在過去十年，三星更是把閃存芯片疊成了 “ 賽博高樓 ”，直接一路從 32 層蓋到了 280 層。

作為對比，當年三星把閃存芯片蓋到 176 層，層數超過迪拜塔的時候，部分友商還在努力突破 128 層，而它計劃於今年下半年開始大規模生產的第十代 V-NAND，層數據説會到 420-430 層。

 之所以三星能蓋這麼快，除了這些年不斷迭代的堆疊技術，它的蓋樓絕活 ——  CoP 技術其實也功不可沒。

這項技術簡單説就是把控制電路和存儲單元疊在同一塊晶圓上，就像咱們蓋房子，得先打地基（ 底層控制電路 ），再往上蓋樓（ 堆疊存儲單元 ），控制電路像地基一樣墊在存儲單元下面。

之前三星憑藉這項技術，每年都能實現層數的穩步增長，但是今年他們要挑戰 430 層的時候，卻發現自家祖傳的 CoP 技術遇到了瓶頸 —— 那就是這個 “ 地基 ”，快被存儲單元 “ 壓塌 ” 了。

換句話説，隨着疊加的樓層不斷增高，底層控制電路承受的壓力也越來越大，信號延遲、發熱問題會嚴重影響閃存的性能和可靠性，要是再嚴重點，可能樓還沒封頂，它這地基自己就先塌了。

芯片出廠就是殘廢，或者沒用多久就炸盤，就問這你受得了麼？更何況時間不等人，在三星被 430 層卡住脖子的時候，友商 SK 海力士也在奮起直追，據説今年也要量產 400 層以上的閃存芯片。

這對存儲業務本來就面臨技術瓶頸與市場競爭雙重壓力的三星來説，絕對算得上是雪上加霜。

 説到這裏我就不得不感慨一句，蒼天饒過誰，誰能想到曾經一路開掛，把閃存層數疊得飛起，將其他對手甩在身後的三星，有朝一日也會被自家技術卡脖子。。。

而三星之所以選擇這個時候跟長江存儲合作，大概率就是看中了長江存儲的 “ Xtacking ” 混合鍵合專利技術。

和其它廠商喜歡把控制單元和存儲單元設計在一顆晶圓上，然後再投入生產的方式不同，長江存儲的 Xtacking 走的是另外一種道路 —— 把存儲單元和控制電路分開製造，然後再拼接到一起。

這技術説白了，其實就是把芯片當樂高積木拼。

具體點説就是先在一塊晶圓上製造存儲單元，然後在另一塊晶圓上製造控制電路，最後再把兩塊晶圓通過數百萬根垂直通道直接鍵合，而且中間不用加任何 “ 膠水 ”（ 比如傳統封裝用的凸點 ）。

這麼做的好處有很多，比如數據傳輸距離縮短、散熱效率飆升，而且還能疊加更多存儲單元。

甚至藉助這項技術，製造存儲單元和控制電路的工藝可以實現各自優化 —— 存儲單元用成熟工藝保障穩定性，控制電路用先進工藝提升讀寫速度，在提升生產效率的同時，還能降低成本。

 按照長江存儲自己的説法，Xtacking 能將產品開發時間縮短至少 3 個月，並將生產週期縮短 20%，恐怖如斯。

而且長江存儲早在 2018 年，就把涉及到 Xtacking 技術一系列相關專利，註冊成了自家 “ 護城河 ”，放眼全球，除了長江存儲，也就台積電和美國 Xperi 掌握了混合鍵合技術的大多數專利。

這也意味着，三星如果想繼續搞 400 多層的閃存芯片，技術路線上幾乎全是這些對手埋的雷。

 欸，這裏就有一個前車之鑑 —— 前一陣，長江存儲就向美光提起了訴訟，訴訟理由就是美光在自家 3D 堆疊的閃存設計上，侵犯了長江存儲的專利。

我估摸着三星自己也琢磨過，與其到時候法庭上見，最後落得個賠錢或者全球禁售的下場，不如直接找長江存儲合作拿專利許可，順便還能在國內市場刷波好感度，可能還能讓自家的產品銷量好一些。

 該説不説三星的這波操作，屬實是把商戰給玩明白了。。。而且據説SK海力士也在和長江存儲商量專利協議的事兒，這事兒要是真的，那三星也算是先下手為強了。

説了這麼多，我相信各位差友都想知道這跟咱們有啥關係，我嘗試着翻遍了各大門户網站，雖然沒能找到三星跟長江存儲這次合作的具體細節，但是咱們在這裏還是可以嘗試着推導一下。

 假如，三星這次是直接掏錢找長江存儲花錢買的專利授權，那麼三星沒準會將購買專利的成本部分轉嫁到產品價格上，短期內存儲產品價格可能不會有明顯下降，甚至可能還會小幅度上漲。

但別忘了，市場上還有這麼多競爭對手在虎視眈眈，隨着製造技術成熟和規模效應，生產成本降低後，存儲產品價格勢必會迎來下降，到時候咱們就能花更少的錢，買到性能更強的固態硬盤。

而對長江存儲來説，在拿到這筆錢後，研發投入會更充足，從而加快自家技術迭代的速度，進一步鞏固自身優勢的同時，説不定還能借助跟三星合作的影響力，在國際市場開拓出更大的份額。

 但要是三星跟長江存儲談的是各自專利的交叉授權，那麼雙方技術融合，很可能會催生更多創新的技術和產品。

這對咱們消費者來説，也是件好事，説不定過不了多久，手機容量輕輕鬆鬆就能突破 1TB，升級到 1.5T 甚至 2T，以後咱們再也不用擔心手機數據被塞爆了。。。

對沒錯，微信，説的就是你！

該説不説科技圈沒有絕對的對手，只有永恆的利益，昨天廠商跟廠商之間還劍拔弩張，改天就能握手言和，而長江存儲從最開始的艱難起步，到海外巨頭親自上門要授權，真就應了那句 ——

“ 三十年河東，三十年河西，莫欺少年窮 ”。

 總之，對我們來説，做個 “ 等等黨 ” 永遠不虧好吧。

來源：

長江存儲官網、TechInsights3D_NAND_Current_Future_and_Beyond.pdfhttps://zdnet.co.kr/view/?no=20250222235514https://zdnet.co.kr/view/?no=20250213202429#_DYAD

IT 之家，消息稱三星與長江存儲重磅合作，V10 NAND 將使用中國企業專利長江存儲Xtacking 3.0，率先到200+層這家中國公司現在是3D NAND Flash的領導者

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