DRAM，開啓EUV的較量_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自ChosunBiz

在競爭對手增強生產能力的同時，美光對EUV採取了謹慎的態度。

美光公司上個月推出了第六代DRAM的原型，成為存儲器半導體行業中第一個推出第六代DRAM的廠商，而美光公司的DRAM設計和製造工藝與三星電子和SK海力士有着明顯的區別，這有望成為三家公司在即將到來的量產競爭中勝負的關鍵因素。

EUV應用策略的差異

在第六代DRAM（D1c製程）的研發中，美光、三星電子和SK海力士呈現出截然不同的技術路線。美光采取“有限EUV”策略，僅在關鍵層使用極紫外光刻技術，其餘工序依賴成熟的氟化氬浸沒式（ArFi）設備和多重圖案化工藝。其核心邏輯是通過最小化先進設備的投入，利用現有產線加速量產進程。而三星電子作為EUV技術的最早採用者（2020年起），已在D1c製程中引入超過五層EUV工藝，並持續擴大應用範圍。SK海力士雖起步較晚（2021年首次應用），但計劃在下一代產品中追趕三星的EUV層數。

這種分化源於對技術風險與量產效率的不同權衡。美光認為當前EUV的穩定性不足，且設備購置與維護成本過高，尤其是在半導體市場週期性波動的背景下，輕資產策略更有利於快速響應需求變化。而三星和SK海力士則押注EUV的長期技術紅利，希望通過高密度製程實現性能突破，鞏固高端市場地位。

量產效率與良率的博弈

美光的保守策略可能帶來短期量產優勢。ArFi設備經過多年迭代，工藝成熟度較高，且無需應對EUV特有的技術挑戰（如光刻膠靈敏度、掩模缺陷控制等）。這使得美光能夠快速完成從原型到量產的過渡，尤其適合滿足中端市場的需求爆發。然而，多重圖案化技術需要重複光刻和蝕刻步驟，導致生產步驟增加約30%-50%，顯著推升複雜度和缺陷率。行業分析指出，當EUV應用超過三層時，傳統工藝的良率劣勢將加速顯現。

三星和SK海力士的EUV密集路線則面臨前期高投入的陣痛。三星為穩定EUV工藝，不僅配置了超過30台EUV設備（全球最大規模），還成立專項工作組，由前英特爾專家李尚勳主導光刻膠材料研發和光源優化。其內部數據顯示，通過改進掩模保護膜和缺陷檢測算法，近期EUV層良率已提升至85%以上。SK海力士則採取漸進式擴張，通過與美國應用材料公司合作開發混合式光刻方案，試圖平衡成本與性能。

市場格局重塑

三家公司的技術選擇將深刻影響未來存儲市場的競爭格局。美光的策略更適合中低密度DRAM市場，例如消費電子和邊緣計算設備，其快速量產能力可抓住物聯網、車載芯片等新興領域的增量需求。但若高端服務器和AI芯片市場持續擴張（這類場景需要更高帶寬和能效），三星和SK海力士的高EUV方案可能佔據制高點。

值得注意的是，EUV的規模化應用存在“學習曲線效應”。三星通過五年以上的技術積累，已建立覆蓋光刻膠、掩模、檢測設備的全鏈條優化體系。例如，其新型碳基光刻膠可將曝光速度提升40%，而動態劑量調節技術能補償晶圓表面的反射率差異。這些Know-how短期內難以被競爭對手複製。SK海力士則通過模塊化工藝設計，將EUV層集中在特定功能區域（如存儲單元陣列），降低整體工藝複雜度。

技術路線差異的背後，是供應鏈管理能力的較量。EUV設備的供應長期受限於ASML的產能（年產量約50台），且單台成本超過1.5億美元。三星憑藉與ASML的深度合作（包括聯合研發高NA EUV技術），優先獲得設備供應；而美光由於EUV部署較晚，可能面臨設備交付週期延長的風險。此外，EUV工藝需要配套的材料創新：三星與日本JSR合作開發金屬氧化物光刻膠，SK海力士則投資比利時IMEC研究院，推動掩模修復技術的突破。

在專利佈局層面，三星擁有超過2000項EUV相關專利，涵蓋光源穩定性、掩模清潔方法等關鍵技術節點。美光則側重多重圖案化的工藝優化專利，例如通過自對準四重圖案化（SAQP）實現20納米以下線寬控制。這種專利壁壘可能加劇行業的技術路徑依賴。

從長遠看，三大廠商的競爭將圍繞三個核心指標展開：單位芯片成本、能效比、工藝擴展性。美光的ArFi方案在28納米以上製程具有成本優勢，但隨着DRAM向10納米以下演進，其多重圖案化的邊際效益遞減。三星的EUV密集路線雖前期成本高，但製程微縮潛力更大——例如，五層EUV的應用可使芯片面積縮小15%，功耗降低20%，這對數據中心和AI加速器市場至關重要。

另一個變數在於新興存儲技術的衝擊。若存算一體（PIM）或3D堆疊DRAM成為主流，傳統制程競爭的重要性可能下降。三星已啓動GDDR7與HBM4的EUV集成研發，試圖將存儲與邏輯單元協同優化；而美光則投資CXL互聯技術，試圖通過架構創新彌補製程劣勢。這場競賽不僅是光刻技術的比拼，更是系統性技術生態的對抗。

存儲器半導體行業正進入技術路線分化的新階段。美光的策略體現對市場靈活性的追求，三星和SK海力士則彰顯技術領先的野心。短期內，不同策略可能在不同細分市場形成局部優勢；但長期來看，EUV技術的成熟度將決定高端市場的歸屬。值得關注的是，隨着ASML推出高數值孔徑（High-NA）EUV設備，製程微縮競賽可能再次加速，而三家公司的戰略選擇將塑造未來十年全球存儲產業的權力版圖。

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