8英寸SiC基板，準備降價了_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

6英寸SiC基板的價格已經低於成本價，銷售情況不容樂觀。

美國對中國成熟的半導體工藝和第三代碳化硅（SiC）半導體發起301調查，供應鏈運營商表示，日益嚴峻的環境似乎更激發了中國製造商突破壁壘的決心。中國主流6英寸SiC基板在2024年大幅降價，迅速引發內部競爭。不過，最近的報告顯示，激進的定價策略已經開始放緩。

過去一個季度，海峽兩岸供應鏈均表示，部分中國製造商目前已將 2025 年 8 英寸 SiC 基板的價格目標定為每片 700 美元。這比 2025 年底預計的每片 1,500 美元價格大幅下降，實際上降幅超過一半。這樣的定價水平不僅可以取代主流的 6 英寸產品，還可以加速 8 英寸 SiC 時代的到來。

尤其令人擔憂的是，能夠量產8英寸基板的公司數量有限。據報道，中國政府可能會限制發放8英寸SiC生產許可證，估計獲得此類許可證的公司不會超過10家。沒有許可證的公司將面臨獲得銀行貸款的挑戰，也無法參與相關的政府合同。

而目前中國約有50~60家企業從事6英寸基板生產，具有規模經濟優勢，且具有無可比擬的成本競爭力。

據業內人士透露，6英寸SiC基板的價格已經低於成本價，銷售情況不容樂觀。雖然中國整體制造能力值得稱讚，但內部競爭問題導致競爭過度，造成市場混亂。這也是中國政府對8英寸生產許可證發放進行嚴格限制的主要原因。

由於市場混亂，許多價格和質量指標並不一定有效相關。此外，電動汽車 (EV) 和太陽能等關鍵市場表現不佳，限制了買家尋求便宜貨的動力。

更為嚴重的是，此前有報道稱，一家歐洲集成設備製造商 (IDM) 因從中國採購的受污染 SiC 基板存在質量問題而面臨中國汽車製造商的審查。

此次事件讓國際IDM廠商在採購上更加謹慎，尤其是在汽車領域，任何質量問題都可能引發賠償責任，這種風險帶來的潛在壓力遠遠大於採購廉價SiC基板帶來的好處，有傳言稱SiC基板供應商可能因此面臨流動性危機。

但中國SiC產業並未因挫折而退卻，2025年，6英寸SiC基板或許並非中國廠商的重點，更有前景的8英寸技術才是重點發展方向。

第三代半導體的戰略重要性

面向未來的第三代半導體，如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），對於新能源應用、5G基站、AIoT和電動汽車至關重要。即使美國總統唐納德·特朗普不支持電動汽車的發展，人工智能數據中心的需求以及相關的電力和電網需求也需要第三代半導體。此外，這些技術對未來的軍事和航空航天應用至關重要，這使得美國很難忽視中國在該領域的快速進步。

今年初，美國對中國半導體徵收50%關税，隨後2月和3月又加徵20%關税，聽證會後，傳統半導體和SiC可能面臨高額關税，而美國通脹問題、消費者負擔加重，以及隨後的報復問題也將成為焦點。

對於301調查，有媒體指出，美國信息技術與創新基金會認為，若美國不解決中國碳化硅晶圓補貼及市場扭曲問題，將導致嚴重後果。

佈局第三代半導體

根據CINNO Research最新統計數據，在半導體材料領域，2024年投資資金按項目類別分佈顯示，硅片投資佔比最高，達到36.4%，投資金額為406.3億人民幣。硅片作為半導體制造的核心材料，其投資規模反映了中國在提升晶圓製造能力方面的持續努力。

此外，第三代半導體材料（SiC/GaN）投資佔比為20.5%，投資金額達到228.6億人民幣。SiC/GaN材料在新能源汽車、5G通信和能源電力等領域的應用前景廣闊，其投資增長表明中國正在加速佈局下一代半導體技術，以搶佔未來產業制高點。

3月10日，第三代半導體龍頭英諾賽科正式納入港股通。預期後續估值與流動性將實現雙提升。

依託IDM全產業鏈模式，英諾賽科在數據中心、新能源汽車、AI服務器領域正在成為“隱形冠軍”，其已推出全球首個量產100V GaN解決方案，佈局40V車規級產品並通過AEC-Q101認證。

作為全球首家量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，早在2024年上半年，公司營收已同比增長25.2%至3.86億元，虧損同比收窄37%，技術商業化進程正在提速。

此次英諾賽科被納入港股通，不僅意味着其進入更多投資者的視野，更標誌着中國第三代半導體產業在資本市場的認可度邁上新台階。

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