存儲芯片，正式漲價_風聞

今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。

自此，存儲市場長達多半年的低迷態勢，終於迎來轉折。

存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。

01NAND，開始漲價

打響漲價第一槍的是NAND存儲大廠閃迪，其表示將於4月1日開始實施漲價，漲幅將超10%，該舉措適用於所有面向渠道和消費類產品。

緊接着美光也告知將針對新訂單提高價格，平均漲幅約11%。3月25日，美光直接發佈漲價函，預計此次漲價幅度將在10%~15%。

之後，SK海力士、三星相繼宣佈將於4月同步上調NAND閃存價格。

根據渠道反饋，國產存儲公司的零售品牌致態宣佈，將於4月起上調提貨價格，漲幅可能超過10%。

一系列消息接踵而至，在業內引起軒然大波。

新一季度，NAND 芯片價格出現反彈，這主要歸功於各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調整減產措施。

隨着2024年NAND產品價格走勢疲軟，為提早應對市場供過於求問題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等原廠陸續從2024年第4季重啓減產措施，藉此阻止NAND價格的下跌趨勢。

今年1月，美光新加坡NAND廠突發斷電，導致NAND供貨吃緊。羣聯科技執行長潘健成亦透露，雖從2024年12月已向美光下單採購，但近期卻意外發生交貨不足的問題。三星電子和SK海力士兩大韓廠的減產措施也在持續發酵，其中三星在3月的交貨量僅有原先訂單的20-25%。

其實，早在上個月，現貨市場的動向就透出了一些不尋常的信號。

CFM的報價顯示，小容量的eMMC以及一些SSD產品的價格已悄然上升，個別渠道也開始了漲價的試探性動作。

TrendForce近日發佈報告稱，預計2025年第二季NAND Flash價格將止跌回穩，環比增加0-5%。其中Client SSD合約價將季增3%-8%；Enterprise SSD合約價將持平第一季；eMMC合約價將與上季持平。NAND Flash Wafer合約價將季增10%-15%。

疊加上述存儲龍頭的最新漲價動作，市場上已經有人嗅到這一商機，開始囤積SSD了，盼着在NAND價格飆升之際大賺一筆。

 02DRAM，跌幅收斂

再看DRAM市場在今年第二季度的價格走向。

先説結論，儘管DRAM市場還沒有明確的漲價聲音傳出，但可以確定的是，第二季度DRAM市場價格跌幅將同步收斂。一般型DRAM價格跌幅將收斂至季減0%-5%，若納入HBM計算，受惠於HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%-8%。

具體數據方面：

在PC DRAM領域，DDR4價格走勢偏弱，環比下降3%-8%；DDR5價格環比基本持平。

在Server DRAM領域，DDR4跌幅低於市場預期，環比下降3%-8%；DDR5價格也環比基本持平。

在Mobile DRAM領域，LPDDR4X跌幅將收斂至季減0%-5%；LPDDR5X價格將季增0%-5%。

在Graphics DRAM領域，GDDR6跌勢將收斂至3%-8%；GDDR7價格將持平上季或緩跌，約下降0%-5%。

在Consumer DRAM領域，DDR3合約價環比持平，DDR4合約價季增0%-5%。

綜合來看，DRAM的價格還未來到正向增長區間。DRR5的合約價格大約是從今年2月起持續上漲，LPDDR5X的價格也相對穩健，但DDR4、DDR3、GDDR6等產品還在給存儲市場“拖後腿”。

近日有研究機構對8家相關企業進行採訪後發現，很多觀點認為“對賣家來説，沒有能夠替代中國的市場，再加上受到低價的中國產品影響，價格正在下降”。關於接下來的DRAM價格，企業認為可能要到下半年才會上漲的觀點居多。

03HBM,市場暴漲880%

近日，SK海力士表示未來 AI 內存的需求前景光明。

預計今年HBM在SK海力士DRAM總銷售額中的佔比將超過50%。SK海力士CEO兼總裁

郭魯正表示：“大型科技公司正在擴大投資，以確保在人工智能市場的領導地位。由於圖形處理單元(GPU) 和定製芯片 (ASIC) 的增加，我們預計 HBM 的需求將出現爆炸式增長。”他補充道，“今年的 HBM 市場預計將比 2023 年增長 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲器企業固態硬盤 (SSD) 市場預計也將增長 3.5 倍”。此外，對於‘DeepSeek衝擊’，他持樂觀態度，並表示，如果各種 AI 生態系統被激活，將有助於在中長期內增加（對 HBM 的）需求”。

為了繼續引領AI市場，SK海力士還將繼續準備CXL等下一代技術和產品。郭魯正表示：“除了HBM以外，我們還準備了CXL、LPCAMM2、SOCAMM等多種解決方案，從而不僅僅作為AI內存供應商，還能提供綜合解決方案。”

04國產存儲廠商，蓄勢待發

如果説，以前的存儲市場主要被國際廠商所包攬，如今國產廠商的強勢出擊，硬生生把這一格局，撕開一道大口子。

在三星和SK海力士對華出口的存儲產品組合中，三星主要向中國供應LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅動器IC等。SK海力士則專注於DRAM和NAND產品的生產和銷售。

從去年開始，隨着國產廠商競爭加劇，DDR3和DDR4內存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場中逐漸淡出。

預計從今年夏季開始，由於這些主要廠商的退出，市場上DDR3和DDR4的供應將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國產存儲芯片公司。

因此，在存儲市場復甦之際，國產廠商有望迎來新的機遇。

從國內市場來看，國產NAND產品近期漲價基本已成事實。

近日，一家國內存儲模組廠商負責人表示，今年所有存儲芯片原廠的價格都在漲。幾家存儲芯片原廠的報價，在同一時期內都會比較接近，差異不會很大。其中，“小容量NAND是這一輪漲價裏最先有反應的品類，也是最早反彈的品種”。

目前存儲芯片製造商轉向大容量NAND生產，小容量eMMC等產品製造轉由模組廠商承擔，受原廠晶圓定價影響。比如佰維存儲、江波龍等模組廠商均基於原廠NAND推出eMMC產品。

因此，在小容量市場復甦之際，這兩家公司將同步受益。

佰維存儲在接受23家機構調研時表示，在嵌入式存儲領域，公司BGASSD已通過Google准入供應商名單認證；在PC存儲領域，公司SSD產品目前已經進入聯想、宏碁、惠普、同方等國內外知名PC廠商，此前佰維存儲就表示，其旗下SP406/416系列企業級PCIe4.0 SSD、SS621系列企業級SATA SSD，與聯想服務器完成兼容性測試並獲認證，強化企業級市場佈局。

技術研發層面，3月初，佰維存儲宣佈，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量驗證支持QLC顆粒並針對智能穿戴設備優化功耗，同時具備端到端數據保護能力，適用於車規級應用場景。

據悉，2024年，佰維存儲智能穿戴存儲業務收入同比大幅增長，2025年將深化與Meta等客户在AI眼鏡領域的合作。

江波龍近日正式向香港聯交所遞交了發行境外上市外資股（H股），並在香港聯交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍在產品佈局上持續發力，其首顆32Gbit 2D MLC NAND完成流片驗證，覆蓋SLC/MLC多容量產品，適用於網絡通信、安防監控等領域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲和內存條四大產品線，經營三個主要品牌，分別是FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前國內多家芯片廠商佈局NAND存儲芯片。包括兆易創新、東芯股份、江波龍等。不過，兆易創新、東芯股份NAND產品均為2D SLC NAND。而本輪NAND漲價主要以3D NAND產品為主，而2D NAND今年價格始終平穩，未見明顯價格拐點。

DRAM方面，北京君正於投資者互動平台表示，公司正在積極推進DRAM產品的更新迭代，採用20nm工藝的新產品預計將在2025年推出樣品，後續還將陸續推出更新工藝的DRAM產品。此外，北京君正還計劃在20nm工藝產品之後，繼續推進更先進工藝的DRAM產品研發。

05存儲龍頭，期待回春

在剛剛過去的第一季度，存儲巨頭們過的可並不算如意。

美光：存儲業務營收狂跌20%

近日，美光發佈了截至2025年2月27日的2025財年第二財季財報，儘管在這一季度中美光實現營收80.5億美元，同比增長38%。但單拎出來其存儲業務部門（SBU）看，可以發現美光也面臨着存儲市場逆風的壓力。

財報顯示，美光SBU營收14億美元，環比下降20%。

三星、SK海力士：對華出口暴跌

2024年，韓國芯片出口總額高達1330億美元，其中近四成來自中國訂單。

去年，三星和SK海力士這兩家公司依託中國《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》相關舉措，在華銷售額實現大幅增長。

三星電子3月12日公佈的業務報告顯示，公司去年對華出口額同比增加53.9%，為64.9275萬億韓元，超過對美出口額61.3533萬億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷售佔絕大部分。另據三星電子審計報告數據，公司在中國西安的NAND工廠（銷售額11.1802萬億韓元，營業利潤1.1954萬億韓元）和上海的半導體銷售分公司（銷售額30.0684萬億韓元）去年銷售額也大幅提升。

SK海力士同樣在中國市場取得了穩健增長。其無錫DRAM工廠去年不僅成功扭虧為盈，營業利潤達到5985億韓元，銷售額也同比增長64.3%，淨利潤同比大增65.4%。SK海力士在中國的銷售額為5.6萬億韓元，較前年有所增加。

暴漲之後，在2025年開年，形勢急轉直下。

最新數據顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌22.5%，2月跌幅擴大至驚人的31.8%。行業預測，3月跌幅可能突破30%，芯片出口量或將創十年新低。

“以前是訂單接到手軟，現在倉庫堆滿芯片賣不出去。“韓國半導體行業人士近日感嘆，這個曾憑藉存儲芯片傲視全球的產業，正經歷着前所未有的寒冬。

三星、美光、SK海力士等廠商此前已經退出SLC NAND Flash市場。出於成本效率因素考慮，市場預計後續海外存儲原廠可能逐漸退出MLC NAND Flash市場。隨着國際巨頭的逐漸淡出，國產存儲公司的發揮空間便更大了。

隨着三大存儲龍頭逐步轉向附加值更高的HBM、DDR5等領域。上個月，SK海力士宣佈推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產品 12 層（12Hi）HBM4 內存，並在全球率先向主要客户出樣了 12Hi HBM4。

AI大模型訓練催生海量算力需求，HBM在DRAM市場的佔比已近30%，預計到2026年HBM4將推動定製化需求爆發。英偉達、AMD的新品發佈週期，與三星、SK海力士的技術迭代形成共振，在此背景下，國際存儲龍頭便可在存儲市場的復甦浪潮中享受更為豐厚的紅利。