DRAM市場份額，SK海力士首次第一_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

這對SK 海力士來説是一個里程碑。

根據Counterpoint Research的Memory Tracker數據， SK海力士首次超越三星電子，以36%的市場份額位居全球DRAM收入榜首。

高級分析師Jeongku Choi表示：“這對SK 海力士來説是一個里程碑，該公司成功將 DRAM 產品推向了對HBM內存需求持續旺盛的市場。專用 HBM DRAM 芯片的製造一直以來都極其棘手，那些在早期就抓住機會的企業已經獲得了豐厚的回報。”

Counterpoint Research 預計 2025 年第二季度 DRAM 市場在各個細分市場的增長和供應商份額方面將呈現相似的情況。

“目前全世界都在關注關税的影響，所以問題是：HBM DRAM 市場將如何發展？” 研究總監MS Hwang指出。 “至少在短期內，由於人工智能需求應該保持強勁，該領域不太可能受到任何貿易衝擊的影響。更重要的是，HBM 的最終產品是人工智能服務器，而人工智能服務器的定義本身就不受邊界限制。”

從長遠來看，Counterpoint 認為 HBM DRAM 市場增長的風險源於貿易衝擊帶來的結構性挑戰，這可能引發經濟衰退甚至蕭條。

SK 海力士 1c nm DRAM 內存良率約為80%，量產在即韓國媒體《hankooki》報道稱，SK 海力士的 1c nm（即第六代 10 納米級）DRAM 內存工藝近期良率約為 80%，較去年下半年的六成有明顯提升。

一般而言 DRAM 內存工藝在良率達到 80%~90% 時就可進入正式量產，可以説 SK 海力士的 1c nm 製程即將達到大規模生產所需的水平。

SK 海力士是在去年 8 月宣佈成功開發出全球首款第六代 10 納米級 DDR5 DRAM 的。該製程節點是 1b DRAM 平台的擴展，擁有更高生產率，並在運行速度、能效方面取得了改進。除 DDR5 外 LPDDR6、GDDR7 等也將採用該製程。

不過 SK 海力士的第六代 10 納米級工藝尚需更長時間方能在需求火熱的 HBM 領域得到應用：有消息表示，SK 海力士在今年內量產的 HBM4 內存上仍將採用更為成熟的 1b nm DRAM。

CFM：Q2服務器eSSD、DDR5價格預計將回落，D5和D4價差收斂CFM閃存市場近日發佈2025年Q2存儲市場展望報告。報告指出，二季度服務器DDR5價格將出現-5%~-10%的回落，服務器DDR4價格持平至5%的小幅上漲，原廠eSSD合約價預計回落幅度約為10%。

CFM Q2服務器市場存儲產品價格環比幅度預測如下：

儘管服務器客户在2024年年底放緩了備貨需求，但隨後在DeepSeek效應的帶動下，國內頭部互聯網企業按下了AI戰略的加速鍵。互聯網企業普遍上調了2025年的資本支出，較此前預期增加了服務器採購量，國內服務器DRAM備貨需求前置，上半年國內服務器市場呈現淡季不淡的市況。而北美服務器市場將在下半年進入傳統旺季，AI服務器需求能見度較高，繼而令全年服務器存儲需求展望保持樂觀。

隨着存儲原廠專注於繼續擴大先進HBM產能，同時收緊傳統DRAM產能，將繼續推升HBM在DRAM的產能比重及市場佔比。除HBM以外，原廠將DRAM供應重心轉移至服務器DDR5，2025年服務器DDR5供應將放量增長。此前服務器D5與D4的價差一度擴大到80%以上，而隨着原廠DRAM產能調動效果顯現，短期來看價格風險正從DDR4轉移至DDR5，服務器D5與D4的價差將有所收斂。

由於通用服務器搭載的DDR4在部分雲計算、傳統數據中心中具備成本優勢，滿足成本敏感型的應用需求，支持DDR4的舊處理器平台生命週期得到延長。而原廠已經大幅削減DDR4產能，預計今年原廠DDR4晶圓投片佔比削減至10%左右，新生產批號的DDR4將率先出現供需反轉，價格出現小幅上揚。

而企業級SSD二季度預計主要服務器客户仍處於庫存調整階段，原廠eSSD價格預計將出現補跌回調，從而使得eSSD合約價與現貨價差收斂。而此前調降到位的國產eSSD已經具備一定價格優勢，受互聯網企業備貨需求前置的影響，服務器市場淡季不淡，預計價格已調整到位的eSSD二季度價格將趨於平穩。

整體來看，二季度服務器DDR5價格將出現-5%~-10%的回落，服務器DDR4價格持平至5%的小幅上漲，原廠eSSD合約價預計回落幅度約為10%。由於服務器eSSD和DDR5供應充足，Q2價格預計出現小幅回落，不過AI服務器需求能見度依然較高，全年服務器存儲需求仍將保持領漲勢頭，促使需求端在價格合理水位採取備貨行動。

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