三星1nm，指向2029年_風聞
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三星1nm工藝研發啓動，預計2029年後量產。
根據首爾經濟日報報道，三星電子開始研發 1.0nm 晶圓代工工藝，以圖在與台積電的競爭中實現“技術翻盤”。
根據該日報報道，三星電子半導體研究所近日正式着手研發 1.0nm 工藝，部分曾參與 2nm 等尖端製程的研發人員被抽調，組建了專項項目團隊。在目前三星公開的晶圓代工工藝路線圖中，計劃於 2027 年量產的 1.4nm 工藝為目前最尖端的工藝。
1nm 工藝需要打破現有設計框架，引入新技術概念，以及引入高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設備等下一代設備。三星預計，量產時間將在 2029 年之後。
目前，三星在量產中的 3nm 工藝，以及預計在今年量產的 2nm 工藝，首爾經濟日報認為技術上仍落後於台積電，尤其是 2nm 工藝方面，台積電的良率已突破 60%，存在顯著差距。因此，三星對 1nm 工藝寄予厚望，三星會長李在鎔上月向高管們強調要“延續重視技術的傳統”，並表示“以前所未有的技術引領未來”。
據悉，三星目前最新的 2nm SF2 工藝初始良率“高於預期”，搭載該工藝的 Exynos 2600 芯片試產良率為 30%。
值得注意的是，上個月剛剛傳出了三星1.4nm要夭折的消息。三星代工廠最初計劃在 2027 年之前實現 SF1.4 節點的大批量生產，同時還將推出其他專用節點，例如專為汽車應用而設計的 SF2A 和 SF2Z，其中 SF2Z 是該公司首個採用背面供電技術的節點。但有消息稱三星雄心勃勃的 1.4nm 節點可能會被徹底放棄，讓人對該工藝的未來產生了懷疑。這一潛在挫折只是該公司面臨的一系列更廣泛挑戰的一部分。
三星代工廠的 SF3 工藝產量低於標準，導致 Exynos 2500 的發佈被推遲。此外，由於需求低迷，該公司不得不縮減部分較舊的 5nm 和 7nm 節點的產能。儘管遭遇這些挫折，但據報道三星仍在繼續基於其 SF2 工藝開發Exynos 2600，並正在為 PFN 開發 AI 芯片。此外，據報道，三星的部分 4nm 節點已收到新訂單。
據韓國媒體報道指出，三星代工廠的市場份額為 8.2%，與台積電占主導地位的 67.1% 相比相形見絀，這可能會導致該公司內部進行重大改革。此外，有媒體暗示，Exynos 部門可能會轉移到三星 MX，使其對未來智能手機片上系統設計有更大的控制權。
三星在半導體領域的困境還因各業務部門面臨的更廣泛挑戰而加劇。該公司最近報告稱，智能手機和內存芯片等幾個關鍵領域的市場份額均有所下降。
根據Counterpoint Research的Memory Tracker數據， SK海力士首次超越三星電子，以36%的市場份額位居全球DRAM收入榜首。
高級分析師Jeongku Choi表示：“這對SK 海力士來説是一個里程碑，該公司成功將 DRAM 產品推向了對HBM內存需求持續旺盛的市場。專用 HBM DRAM 芯片的製造一直以來都極其棘手，那些在早期就抓住機會的企業已經獲得了豐厚的回報。”
Counterpoint Research 預計 2025 年第二季度 DRAM 市場在各個細分市場的增長和供應商份額方面將呈現相似的情況。
“目前全世界都在關注關税的影響，所以問題是：HBM DRAM 市場將如何發展？” 研究總監MS Hwang指出。 “至少在短期內，由於人工智能需求應該保持強勁，該領域不太可能受到任何貿易衝擊的影響。更重要的是，HBM 的最終產品是人工智能服務器，而人工智能服務器的定義本身就不受邊界限制。”
從長遠來看，Counterpoint 認為 HBM DRAM 市場增長的風險源於貿易衝擊帶來的結構性挑戰，這可能引發經濟衰退甚至蕭條。
在如此嚴峻的形勢之下，三星內部也掀起了反思與變革的浪潮。
據業內人士透露，三星電子董事長李在鎔警告高管，公司已經“失去優勢”，必須以“不成功便成仁”的心態應對挑戰。
消息人士今日稱，三星最近在一次旨在強化三星形象的研討會上向高管傳達了李健熙的信息。該研討會自 2 月底開始舉辦，在首爾南部龍仁市的公司培訓中心舉行，共有來自三星各子公司的約 2,000 名高管參加。
研討會上播放的視頻介紹了三星已故創始人李秉喆和前董事長李健熙的經營哲學以及李在鎔的講話。
據透露，李健熙在信息中表示：“三星的生存岌岌可危。領導層必須進行深刻的自我反省。”他還強調，公司應該專注於應對危機的方法，而不是危機本身。“我們必須優先考慮長期投資，而不是短期收益，”他説。李健熙本人並未出現在視頻中。
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