中微公司2024年營收超90億元，研發投入同比增加約94%_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

中微公司2024年實現營收90.65億元，同比增長44.73%，實現歸母淨利潤16.16億元，同比減少9.53%。

中微公司發佈2024年度財務報告，數據顯示，2024年該公司實現營收90.65億元，同比增長44.73%；實現歸母淨利潤16.16億元，同比減少9.53%。其中，2024年刻蝕設備銷售約72.77億元，同比增長約54.72%，MOCVD設備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%，LPCVD設備2024年實現首台銷售，全年設備銷售約1.56億元。

在研發投入方面，2024年公司研發投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發投入佔公司營業收入比例約為27.05%。

值得關注的是，2024年中微公司在中國大陸的營收約為86億元，中國台灣地區營收約為3.15億元，其它國家和地區營收為1.42億元。

報告稱，中微公司2024年歸母淨利潤減少主要受三個方面影響，一是公司雖然營業收入增長44.73%，但毛利較去年增長約9.78億元；二是公司加大研發投入，與去年相比增長約94.31%；三是去年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產生税後淨收益約4.06億元，而2024年並無該項股權處置收益。

中微公司2024年核心技術及研發進展

中微公司主要業務是半導體設備，其中，等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客户從65至5納米及其他先進的集成電路加工製造生產線及先進封裝生產線；MOCVD設備在行業領先客户的生產線上大規模投入量產，成為世界排名前列的氮化鎵基 LED 設備製造商；新開發的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，目前已有多款新型設備產品進入市場並獲得重複性訂單。

在刻蝕設備技術方面，中微公司目前針對邏輯和存儲芯片製造中最關鍵刻蝕工藝的設備已經在客户的產線上展開驗證。在邏輯芯片製造領域，12英寸高端刻蝕設備已經在從65至5納米及更先進技術節點大量量產，而5納米及更先 進技術節點的刻蝕設備則進行了多項性能改進，並已經在生產線上實施；在存儲芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已大量用於先進三維閃存和動態隨機存儲器件的量產。此外，配備超低頻偏壓射頻的用於超高深寬比掩膜刻蝕的ICP刻蝕機目前在生產線上驗證順利，工藝能力可以滿足國內最先進的存儲芯片製造的需求。配備超低頻高功率偏壓射頻的用於超高深寬比介質刻蝕的CCP刻蝕設備也進入到大規模生產階段。

在MOCVD設備技術方面，中微公司用於藍光LED的PRISMO D-Blue、PRISMO A7兩款MOCVD設備能分別實現單腔 14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力；用於製造深紫外光LED的高温MOCVD設備 PRISMO HiT3，其反應腔最高工藝温度可達1400度，單爐可生長18片2英寸外延晶片，並可延伸到生長4英寸晶片；用於Mini-LED生產的MOCVD設備PRISMO UniMax，在同一系統中可配備多達4個反應腔，每個反應腔都可實現獨立控制，目前已經開始進行規模化生產；用於硅基氮化鎵功率器件用MOCVD設備PRISMO PD5已在客户生產線上驗證通過並獲得重複訂單；用於碳化硅功率器件外延生產的設備正在開發中，即將開展樣機在客户端的驗證測試；製造Micro-LED應用的新型MOCVD設備也正在按計劃順利開發中。

在薄膜沉積設備技術方面，中微公司已經實現六種薄膜沉積設備的高效研發與交付。其中，完全自主設計開發的雙台機鎢系列設備，在保證較低的化學品消耗的同時，具有優秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進存儲器件關鍵字線應用、接觸孔填充應用及其他多個關鍵應用，同時也可滿足先進邏輯應用中鎢接觸孔應用需求，中微獨創的接觸孔填充方案能夠在60比1深寬比的深孔結構中獲得國際領先的填充效果。此外，中微開發的金屬鎢系列在生產穩定性上也表現出了 突出性能，其中原子層沉積金屬鎢產品晶圓間薄膜均一性達到了小於 1%的水平。新推出的自主開發的金屬柵系列產品，繼承中微獨特的雙反應台設計，通過中微專利的多級勻氣混氣設計，基 於模型算法的加熱系統設計和可實現高效原子層沉積反應的反應腔流導設計等，可滿足先進邏輯關鍵金屬柵應用需求。

值得注意的是，報告稱中微公司開發的五類設備均達到國際先進水平，分別是CCP電容性刻蝕機、ICP電感性刻蝕機、薄膜沉積設備、深硅刻蝕機和MOCVD。

其中，CCP電容性刻蝕機有3個雙台反應器和6個單台反應器系統，進入2D和3D存儲器生產線，超高深寬比工藝實現量產，300+反應台進入國際5納米及以下生產線，4000+反應台在線生產。

ICP電感性刻蝕機有6個單台反應器和 3個雙台反應器系統，覆蓋 95%以上ICP刻蝕應用，Nanova 單台機訂單年增長超過100%，迅速擴大市場佔有率，1000+反應台在線生產。

薄膜沉積設備有高輸出的雙反應台系統，設備性能達到國際領先水平，鎢系列產品已全部通過關鍵存儲客户端量產驗證，取得批量訂單，金屬柵系列產品在先進邏輯客户量產驗證順利推進，同步推進多款金屬薄膜氣相設備開發，增加薄膜設備覆蓋度。

深硅刻蝕機有高輸出的雙反應台系統，開發2.5D和3D芯片加工設備，進入歐洲MEMS生產線量產，在國內TSV/MEMS成為主連設備。

MOCVD有4個獨立操作的反應器系統，持續保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位，PRISMO UniMax在 Mini-LED 顯示外延片生產設備領域處於國際領先，開發更多化合物半導體外延設備，500+反應台在線生產。

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