台積電擬限制出口最先進工藝技術！_風聞
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新的法律措施將強制執行“N - 1”技術限制，實質上禁止台積電出口其最新生產節點，並對違規行為處以罰款。
據中國台灣《經濟日報》報道，中國台灣計劃加強對先進製程技術出口以及對外半導體投資的管控，相關新規預計將對台積電等企業產生重大影響。
此次修訂的規則基於修訂後的《產業創新法》第22條，預計將於2025年底生效，不過經濟部表示，該法的實施日期將在各子法規修訂後（六個月內）公佈，這意味着最早可能在2025年底開始實施。
新的法律措施將強制執行“N - 1”技術限制，實質上禁止台積電出口其最新生產節點，並對違規行為處以罰款。行政院長趙榮泰確認的“N - 1”政策將適用於台積電在美國的計劃生產，該政策限制了最先進工藝技術的出口，僅允許將比其早一代的技術部署到國外。
此前，中國台灣法規並未明確要求對半導體制造工藝進行此類管控。此次修訂還引入了此前未曾出現的處罰措施：未經事先批准在海外投資的公司可能面臨5萬至100萬新台幣（約合30,830美元）的罰款；如果投資已獲批准，但公司隨後未能糾正已發現的違規行為（例如危害國家安全或損害經濟發展），當局可處以50萬至1000萬新台幣（約合15,414美元）的重複罰款。不過，鑑於台積電計劃在其美國工廠投資1650億美元，30萬美元的罰款幾乎不會影響公司的盈利。
此外，經中國台灣“立法機構”三讀通過的修訂法賦予中國台灣當局拒絕或取消海外投資的權力。如果這些投資被發現危害中國台灣安全、損害中國台灣經濟發展、違反條約義務或導致未解決的重大勞資糾紛，根據新法律，這六個條件得以保留，但現在得到了更高級別的立法支持。修訂後的第22條還包括部分或全部拒絕投資或在批准時附加條件的可能性。如果公司獲得批准但後來觸發任何這些風險，中央主管部門有權要求採取糾正措施，如果問題嚴重，則完全撤銷該投資。新法律將現有的投資限制從子法規上升為正式立法，並增加了不遵守規定的法律後果。
台積電最先進的製程技術存在相關情況。目前，台積電擁有一個尖端節點：N3P製造技術。但到今年年底，它將開始採用N2製程生產芯片，而N2製程將成為其旗艦技術。然而，從2026年底開始，台積電預計將擁有兩個旗艦節點：面向不需要高級供電的客户端應用的N2P，以及面向高功耗HPC應用、採用Super Power Rail背面供電技術的A16。
目前尚不清楚哪種製程技術會被中國台灣視為“旗艦”技術，從而受到出口限制；或者，當台積電推出N2P和A16的後續產品——A14和A16P節點時，政府是否會在一年內禁止這兩個節點的出口。
該法規的推出正值地緣政治風險不斷上升之際，此前台積電宣佈計劃將其在美國產能的投資從四年內的650億美元增加到1650億美元（具體時間未披露）。
早在去年，中國台灣省經濟部長郭智輝就曾在台北舉行的立法機構經濟委員會會議上公開表示，中國台灣的科技保護規則使得台積電目前無法在海外生產2nm芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術留在中國台灣。
台積電目前正在積極推進N2（2nm）製程的製造，納米片器件性能接近目標，256Mb SRAM的平均良率>90%，目前已經收到了多個TO，有望於今年下半年量產。此外，台積電還在研發N2P和N2X製程。
與 N3E 相比，N2P在相同功耗下，性能可提升 18%，在相同性能下，功耗可降低36%，密度將提高1.2倍。台積電預計，N2P有望在 2026 年下半年投入生產。而N2X則將在2027年量產。
近日，台積電還披露了其 A14（1.4 納米級）製造技術，並承諾該技術將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較於其 N2（2 納米）工藝帶來顯著提升。
據悉，這一新節點將採用其第二代環繞柵極（GAA）納米片晶體管，並藉助 NanoFlex Pro 技術提供更高的靈活性。台積電預計 A14 將於 2028 年進入大規模生產階段，但屆時不具備背面供電功能。帶有背面供電功能的 A14 版本計劃於 2029 年推出。
台積電業務發展與全球銷售高級副總裁兼副首席運營官張曉強（Kevin Zhang）表示：“A14 是我們的全節點下一代先進硅技術。如果從速度方面來看，（與 N2 相比）性能提升高達 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對於混合設計而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項非常非常重要的技術。”
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