台積電美國第三座晶圓廠，開建_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

台積電直面虧損。

儘管位於美國的工廠在過去一年中出現了超過32億元人民幣的虧損，台積電仍持續推進在美國的擴張計劃。公司高層表示，將在美國引入更先進的半導體制造產能。

近日，台積電位於亞利桑那州的第三座晶圓廠正式動工。這一進展由台積電董事長兼總裁魏哲家在最新聲明中披露，顯示出公司在當地佈局的決心。

根據台積電發佈的2024年度報告，雖然第一座亞利桑那工廠已實現量產，但由於從產品量產到營收確認存在時間差，導致設在美國的子公司TSMC Arizona Corporation在去年的虧損進一步擴大，虧損金額從2023年的約109.25億元新台幣上升至2024年的142.98億元新台幣。

目前，亞利桑那工廠已獲得包括蘋果、英偉達、AMD、博通及高通在內的五家主要客户支持。業內普遍認為，隨着這些客户逐步導入量產，配合後續第二、第三座晶圓廠的陸續投產，將有助於該地區產能逐步達到經濟規模，從而縮小虧損幅度。

按照規劃，亞利桑那第一座晶圓廠已於去年第四季度開始使用4nm製程技術進行生產；第二座晶圓廠的廠房建設已告完成，目前正在進行廠務系統安裝工作，包括無塵室和機電工程，預計這座工廠將採用3nm製程技術。

至於剛剛開建的第三座晶圓廠，則被寄予更高期望，業內人士猜測這座工廠將採用2nm甚至更為先進的製程技術進行芯片製造。此舉旨在通過在美國本土生產最高端半導體產品，以更好地應對客户需求的增長。

至於這座工廠能否如願生產2nm尚且存疑。

據中國台灣《經濟日報》報道，中國台灣計劃加強對先進製程技術出口以及對外半導體投資的管控，相關新規預計將對台積電等企業產生重大影響。

此次修訂的規則基於修訂後的《產業創新法》第22條，預計將於2025年底生效，不過經濟部表示，該法的實施日期將在各子法規修訂後（六個月內）公佈，這意味着最早可能在2025年底開始實施。

新的法律措施將強制執行“N - 1”技術限制，實質上禁止台積電出口其最新生產節點，並對違規行為處以罰款。行政院長趙榮泰確認的“N - 1”政策將適用於台積電在美國的計劃生產，該政策限制了最先進工藝技術的出口，僅允許將比其早一代的技術部署到國外。

此前，中國台灣法規並未明確要求對半導體制造工藝進行此類管控。此次修訂還引入了此前未曾出現的處罰措施：未經事先批准在海外投資的公司可能面臨5萬至100萬新台幣（約合30,830美元）的罰款；如果投資已獲批准，但公司隨後未能糾正已發現的違規行為（例如危害國家安全或損害經濟發展），當局可處以50萬至1000萬新台幣（約合15,414美元）的重複罰款。不過，鑑於台積電計劃在其美國工廠投資1650億美元，30萬美元的罰款幾乎不會影響公司的盈利。

不止是台積電，另一家芯片大廠也正面臨美國芯片工廠盈利難的問題。

據悉，三星電子位於得州泰勒工廠的建設進度已達99.6%，基本完工，通常情況下應開始搬入設備，但三星目前仍在猶豫是否下單。雖然其對外仍表態“泰勒工廠將在2026年按原計劃投入運營”，但公司內外部普遍預計，考慮到市場行情和訂單情況，銷售額將會偏低。

此外，美國政府已預告將對半導體徵收至少25%的關税，一位熟悉三星電子的業內人士稱，鑑於三星持續推遲設備投入，很可能會在搬入時面臨高額關税。此外，由於難以向美國派遣所需勞動力，因此在人力招聘上也將產生不小的成本。更糟糕的是，阿斯麥的極紫外光刻設備每台成本高達5000億韓元，僅關税一項就可能達到數千億韓元。

除三星電子外，SK海力士也正推進美國建廠項目，韓國紐西斯通訊社報道稱，韓國業界也有意見認為，這些韓企也需重點關注建築及運營成本的效率化問題。當前原材料供應鏈風險加劇，再加上美國政府可能削減半導體補貼的傳言，使得像台積電那樣遭遇大規模虧損的可能性顯著提升。

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