HBM4專用新設備，來了！_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

新推出的“TC Bonder 4”是能夠生產 HBM4 的專用設備，與競爭對手相比，其生產率和精度顯著提高。

韓美半導體（HANMI Semiconductor）宣佈，將發佈第 6 代高帶寬存儲器 （HBM4） 專用設備“TC Bonder 4 （TC BONDER 4）”。

HANMI Semiconductor 董事長 Kwak Dong-shin 表示：“英偉達將在今年下半年使用 HANMI Semiconductor 的 TC Bonder 生產其下一代產品 Blackwell Ultra。因此，我們的 HBM TC Bonder 的全球市場份額排名和競爭力保持不變。”

韓美半導體解釋説，新推出的“TC Bonder 4”是能夠生產 HBM4 的專用設備，與競爭對手相比，其生產率和精度顯著提高，符合 HBM4 特性的高精度要求。

全球公司正在為今年下半年大規模生產 HBM4 做準備。與現有的第 5 代 （HBM3E） 相比，第 6 代高帶寬內存 HBM4 的速度提高了 60%，同時功耗降低到 70% 左右。

HBM4 支持多達 16 層，每個 DRAM 的容量從 24Gb 擴展到 32Gb。作為數據傳輸路徑的硅過孔 （TSV） 接口數量已增加到 2,048 個，是上一代的兩倍，顯著提高了處理器和內存之間的數據傳輸速度。

因此，在需要高精度的 16 層或更多 HBM 堆疊工藝中，先進鍵合技術的重要性越來越大。

HANMI Semiconductor 成立於 1980 年，是一家全球性的半導體設備公司，在全球擁有約 320 家客户。自 2002 年知識產權部成立以來，公司一直專注於保護和加強知識產權，迄今為止共申請了 120 多項 HBM 設備專利。

目前，HANMI Semiconductor 在用於生產 12 層 HBM3E 的 TC Bonder 中佔據了 90% 以上的市場份額。

當前，全球TCB市場主要由海外企業主導，核心廠商包括ASMPT、K&S、BESI、Shibaura和Hamni，前五大企業合計佔據約88%的市場份額。同時，HBM設備市場也正從韓美半導體的單一主導格局向更加多元化的競爭態勢演變。

財務數據顯示，韓美半導體近日發佈的業績預告顯示，公司預計2025年第一季度合併營收達1400億韓元（約6.9億元人民幣），營業利潤達686億韓元。與2024年同期相比，營收增長81%，營業利潤增幅高達139%。

據韓國媒體ET News和Money Today等報道，韓美半導體（Hanmi Semiconductor）已正式通知韓國本土客户，自4月1日起，用於HBM製造的TCB價格將上漲25%，這也是韓美半導體首次對TCB產品進行價格調漲。

目前，SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）等半導體企業均為韓美半導體TCB設備的主要用户。其中，作為HBM市場的領軍企業，SK海力士自2017年以來便與韓美半導體建立了緊密的合作關係，其大部分HBM產品均採用韓美半導體的TCB設備進行生產。尤其是在最新的12層HBM3E產品製造過程中，超過90%的量產任務依賴韓美半導體的TCB設備。

在全球頭部存儲芯片巨頭角逐HBM4的當下，韓美半導體的新款TCB設備的推出可謂是解了燃眉之急。

今年3月19日，SK海力士宣佈，推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，並且全球首次向主要客户提供了其樣品。

SK海力士強調：“以引領HBM市場的技術競爭力和生產經驗為基礎，能夠比原計劃提早實現12層HBM4的樣品出貨，並已開始與客户的驗證流程。公司將在下半年完成量產準備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場領導地位。”

此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產品的最高水平。

此產品首次實現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶寬。其相當於在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，FHD）級電影（5GB=5千兆字節）的數據，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。

同時，公司通過在該產品上採用已在前一代產品獲得競爭力認可的Advanced MR-MUF工藝，實現了現有12層HBM可達到的最大36GB容量。通過此工藝控制了芯片的翹曲現象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產品的穩定性。

SK海力士從2022年的HBM3開始，在2024年陸續實現了8層和12層HBM3E產品量產，通過恰時開發和供應HBM產品，維持了面向AI的存儲器市場領導力。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“公司為了滿足客户的要求，不斷克服技術侷限，成為了AI生態創新的領先者。以業界最大規模的HBM供應經驗為基礎，今後也將順利進行性能驗證和量產準備。”

日前，美光也公佈了下一代 HBM4 和 HBM4E 工藝的最新進展，該公司預計將於 2026 年開始量產。

三星存儲業務執行副總裁Kim Jae-joon在財報會議上表示，公司已與多家客户合作，開發基於HBM4 和增強型HBM4E 的定製版本。 HBM4 的開發細節如期進行，計劃於今年下半年實現量產。 HBM4 預計將於2026 年開始商業供應。

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