台積電2nm，或漲價10%_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

英偉達認為：台積電的尖端工藝“非常值得”。

目前，台積電2nm工藝節點在開發過程中表現出色，其缺陷率顯著優於3nm和7nm工藝在相同研發階段的表現。該節點芯片的良率現已達到台積電成熟5nm工藝的水平，並預計將於2025年第四季度正式進入大規模量產階段。

隨着AMD、英偉達、蘋果、高通，甚至擁有自有晶圓廠的英特爾等公司的需求不斷增長，台積電N2工藝正逐漸成為近年來最搶手的製程節點之一。然而，這也使得這家中國台灣芯片製造商能夠收取溢價。

Ctee的一份新報告稱，未來幾周晶圓價格可能進一步飆升。業內人士推測，這主要是由於在美國等海外地區建設晶圓廠的成本上升、全球經濟普遍的不確定性，以及該公司計劃收回今年 380 億至420 億美元資本支出的部分成本。

據稱，台積電 2 納米晶圓的成本將比之前高出 10%。去年，300 毫米晶圓的預估價格約為3 萬美元，而新價格則高達 3.3 萬美元。該報道還補充稱，英偉達首席執行官黃仁勳認為台積電的尖端工藝“非常值得”。

此次技術躍進的關鍵在於台積電採用了全新的GAAFET(全環繞柵極場效應晶體管)架構。相較於傳統的FinFET架構，GAAFET架構中的每個晶體管都採用了被柵極材料完全包裹的納米片結構，這一變革大幅提升了晶體管密度，有效降低了漏電現象，並顯著降低了功耗。這是台積電首次在量產芯片中應用GAAFET架構，標誌着其在半導體制造技術上的又一次重大突破。

據稱，Nvidia 將在其Rubin Next架構中使用 N2 節點。它還將支持 AMD 的 Zen 6 處理器、蘋果的 A21 和 M5 芯片、聯發科的 Dimensity SoC，甚至可能是英特爾 Nova Lake 台式機系列的 CPU 模塊。

這將促使許多規模較小的原始設備製造商 (OEM) 考慮上一代產品，例如 N3 和 N4。

據悉，AMD 是台積電 2nm 首批客户之一，新一代 Zen 6 EPYC 處理器 Venice 確認將基於 N2 工藝打造，預計 2026 年上市。

AMD 高級副總裁 Dan McNamara 本月 14 日在接受韓國《朝鮮日報》採訪時表示台積電 2nm 處於領先地位，他們目前正在集中精力優化 CPU 能效和性能。

當被問及與三星電子代工部門合作的可能，McNamara 表示：“儘管我們與台積電長期保持合作，但 AMD 並非侷限於特定企業的公司。只要能夠為客户提供最佳產品和服務，我們可以與任何企業開展合作。”

AMD 今年第一季度營收 74.4 億美元，超過分析師預期的 71.3 億美元。AMD 的數據中心營收為 37 億美元（現匯率約合 266.8 億元人民幣），約佔總營收的一半。

財報顯示，AMD 數據中心業務收入同比增長 57%。該公司計劃通過 EPYC 4005“Grado”中低端服務器 CPU 進一步擴大市場滲透率。

McNamara 表示，AMD 計劃通過優化能效和性能來增加其市場份額。“每次推出新產品，AMD 都會展示出能效和性能方面的優勢。我們正持續強化包括配套軟件在內的生態系統構建能力，助力客户高效部署人工智能。”

據此前消息，三星在2nm工藝（SF2）的測試生產階段實現了超出預期的初始良品率，達到了30%以上。按照計劃，三星將於2025年第四季度開始2nm工藝的量產，為Exynos 2600的大規模製造奠定基礎。

最近，三星2nm工藝開發團隊在實驗性生產中取得了一項重要里程碑。目前，該工藝的良品率已提升至40%以上，相比此前的3nm工藝表現更為出色。按照當前的進度，三星有望按時完成Exynos 2600的量產目標。

三星的SF2工藝集成了第三代環繞柵極晶體管（GAA）技術，相較於SF3（3nm）工藝，性能提升了12%，功耗效率提高了25%，同時芯片面積減少了5%。此外，三星還計劃在2nm製程節點引入“背面供電網絡”（BSPDN）技術，通過將電源軌放置在晶圓背面，解決傳統前端供電網絡（FSPDN）導致的佈線瓶頸問題。這項技術不僅有助於提升芯片性能和能效，還能進一步縮小芯片尺寸。

英特爾的 18A 和 14A 節點也將成為強大的競爭對手，因為它們採用了背面供電等技術，而台積電/三星代工廠還要幾年才能擁有這些技術。

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