中微公司董事長尹志堯：希望五到十年，覆蓋60%以上的半導體高端設備_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

現在中微只需要約18個月就可以開發一個新產品，進入市場半年到一年就可以量產。

5月27日，半導體設備龍頭中微公司於上海臨港召開了2024年度及2025年第一季度業績説明會，並於會後召開了媒體見面會。

數據顯示，中微公司2024年實現營業收入90.65億元，同比增長44.73%，保持了近四年營收年均增幅大於40%；歸屬於上市公司股東的扣非淨利潤約13.88億元，同比增長16.51%，主營業務盈利能力持續提升。2025年一季度，公司業績延續高增長態勢。

中微公司2024年LPCVD（低壓化學氣相沉積）設備實現首台銷售。在研項目中，也有PECVD（等離子化學氣相沉積）和ALD（原子層沉積）設備研發。一直以來，中微公司主營業務以等離子體刻蝕機為代表，薄膜設備也主要以泛半導體的MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備為主。

關於中微公司薄膜沉積設備業務的成長性，中微公司董事長尹志堯對記者表示：“目前，薄膜設備相關的收入體量還不大，但是公司已經在全面佈局並加速開發更多產品。我相信三到五年內，薄膜設備收入將快速增長。”

積極拓展薄膜設備

半導體前道設備中，刻蝕和薄膜設備市場體量僅次於光刻設備。目前，中微公司已是國內刻蝕設備龍頭，同時也在積極拓展薄膜設備業務。

在業績説明會上，尹志堯也介紹了薄膜沉積設備。他表示，中微公司正在不斷開發多種薄膜沉積設備，擴大產品覆蓋度。

根據2024年年報，中微公司LPCVD實現首台銷售，全年設備銷售額約1.56億元。對於中微公司LPCVD與國內頭部設備廠商的差異，尹志堯告訴記者：“我們做LPCVD之前，有不少廠商比我們做得早。但是我們做任何一個產品，絕對不會抄外國的設備。中微研發設備，一定會分析國際上最大、最強的兩三家廠商，分析它們每一個反應器的優點和缺點。中微會開發出差異化、具有自主知識產權的有競爭力的設備，做出自己獨特的設計。”

據介紹，薄膜沉積設備分為LPCVD（低壓化學氣相沉積）、PECVD（等離子化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、PVD（物理氣相沉積）、EPI（單晶外延）、爐管CVD和鍍銅等種類。

2022年，PECVD市場規模佔總薄膜市場規模比例為32%，PVD、ALD、LPCVD、EPI、爐管CVD和鍍銅佔比分別為22%、14%、8%、8%、8%和5%。

在業績説明會上，尹志堯介紹，半導體薄膜設備有約八類不同的設備，中微的策略是從MOCVD切入，近幾年集中力量開發了LPCVD，然後做EPI，慢慢進入ALD。現在已經開始做大規模集成的設備，包括PVD、ALD和LPCVD，也在開發新一代等離子體源的PECVD設備。

中微公司表示，近兩年新開發的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，已有多款新型設備進入市場並獲得重複性訂單。其中，LPCVD薄膜設備累計出貨量已突破150個反應台，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發項目正在順利推進。此外，公司EPI設備已順利進入客户端量產驗證階段。公司在Micro-LED和高端顯示領域的MOCVD設備開發上取得良好進展，並積極佈局碳化硅和氮化鎵器件市場。

從刻蝕到平台型公司

在業績説明會上，尹志堯首先介紹了其刻蝕機發展情況。刻蝕設備主要分為CCP（電容性耦合的等離子體源）和ICP（電感性耦合的等離子體源）兩類。近年來，中微公司ICP設備取得了高速增長。2023年新增訂單為21.68億元，同比增長139.3%；2024年新增訂單為41.08億元，同比增長89.5%。

尹志堯表示，過去，中微需要3到5年開發一個新產品，進入市場則需要更長時間。現在中微只需要約18個月就可以開發一個新產品，進入市場半年到一年就可以量產。

中微公司董事長兼總經理尹志堯在業績説明會上表示，到2035年，中微公司將在規模、產品競爭力和客户滿意度上成為全球第一梯隊的半導體設備公司。公司的目標一定要達到，一定能夠達到。

在業績説明會結束後的問答環節，有投資者問及中微公司薄膜與刻蝕之間研發投入的分配比例。

對此，尹志堯表示：“過去20年，中微公司大部分研發投入在刻蝕上，刻蝕佔研發比例長期保持在70%左右，最高甚至超過75%。但是，最近幾年，越來越多的錢投入到薄膜設備的研發上。因為薄膜的種類非常多，所以説研發投入與刻蝕沒有伯仲之分了。因此，也期待薄膜設備的收入體量快速增長。”

關於未來，尹志堯表示：“五到十年，我們已經做好了佈局，不斷擴大中微的覆蓋面，覆蓋包括刻蝕、薄膜和量檢測設備，以及部分濕法設備。希望五到十年，覆蓋60%以上的半導體高端設備，成為一個平台式集團公司。”

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