龍科多：韓國斷供中國HBM關鍵設備？_風聞

今天我們聊聊前段時間一個傳聞，所謂的韓國設備企業斷供咱國產HBM關鍵設備的事兒。

這事兒是真的嗎？傳的確實有鼻子有眼。據媒體最新消息， 韓國設備廠商韓美半導體，近日通知中國廠商，將停止供應TCB設備。這個設備是熱壓鍵合工藝的關鍵設備，****這個工藝則是可以將內存顆粒芯片鍵合到基板或其他組件上，像AI芯片離不開的高帶寬內存（HBM），以及高性能的內存芯片DDR5的生產中都需要這個工藝設備。

外媒的消息有個背景，那就是咱們國家的相關企業，例如做內存的合肥長鑫，以及封裝行業的長電科技都依賴這個韓國的設備部件。

如今在美國的壓力下，韓國人要斷供中國。這個新聞一出來，還是引起了大家的關注。好傢伙，韓國也能卡中國脖子了？真的假的？我們來看看。

HBM芯片這幾年是非常火爆，其內存帶寬、內存容量更大，能滿足大模型推理、訓練要求，AI芯片會大量用到。從技術工藝上看，HBM芯片是多個DRAM內存芯片垂直堆疊起來。在這一堆疊過程中，熱壓鍵合設備起到關鍵作用，主要作用就是將DARM芯片與基板，進行微米級的對齊、焊接，儘可能避免短路。

熱壓鍵合設備這個領域，韓國的韓美半導體是目前的領頭羊。龍科多查了下，再過去，日本新川和日本的東麗也做這個設備，其實就是普通的內存芯片上游設備。可以説，在韓國內存崛起之前，日本一直是這個設備領域的老大。

但這幾年HBM芯片越來越吃香，像韓國的SK海力士抱着英偉達大腿，跟着全球AI芯片的熱度，瘋狂出貨，其在HBM的工藝上，當然也是投人、投錢，投技術，其中自然也包括扶持韓國本土的設備商。

韓國的韓美半導體，早在1980年就成立了，起初做一些技術難度不高的半導體設備。2015年，SK海力士帶頭推出第一代HBM芯片後，意識到熱壓鍵合設備的重要性，於是扶持韓美半導體，從2017年開始，雙方几乎是合作共同研發先進的熱壓鍵合技術。有了HBM老大的技術與訂單支持，韓美半導體自然取代日本廠商，成了行業老大，其設備也被中國企業採購。

我們再看下斷供傳聞。中美半導體的遏制與反遏制較量，目前看主要是在AI芯片方面，隨着中國廠商像海思昇騰，寒武紀等取得突破，製程已經是卡不住中國了，美國這邊往後啊，只能是卡設備，尤其是卡HBM芯片。

例如啊，咱們的華為海思、璧仞科技等AI芯片公司，被限制採購SK海力士、三星的HBM。甚至英偉達的閹割版芯片H20也沒法對華出口，除非把裏面的HBM換成性能更低的GDDR7，。似乎啊，美國覺得，卡住了HBM這個小玩意，中國AI芯片發展就會受阻。

如今在美國的壓力下，韓國設備企業搞斷供，就是要壓制中國企業的自研能力了，限制中國的內存企業研發HBM設備，限制封測企業採購顆粒製造HBM設備。那麼，影響會有多大呢？可以説，這些動作會對我們造成一些障礙，但改變不了中國HBM芯片國產化結果。

從市場端看，這幾年國內一直在囤積HBM芯片設備，像合肥長鑫，作為的國內DRAM芯片的廠商，有業內消息稱，囤積的設備可以支持到2027年。

從供應鏈端看，全球能做熱壓鍵合機的，並非韓美半導體一家，像前面我們提到的日本新川、日本東麗仍然在出口相關設備，此外，新加坡也有一家名為ASMPT的企業，也能做。即便日本、新加坡也對我們斷供，咱們中國國內還有備選項。在年初的國內展會上，國產半導體設備廠商普萊信，專門展示了其剛推出的熱壓鍵合機，支持多種鍵合工藝，也通過了客户的設備驗證測試。

所以，龍科多還是老觀點，中美半導體的爭奪，美方試圖在設備、材料上，是卡不住中國脖子的，最多是干擾一下。設備和材料的突破，遠比芯片突破容易。為什麼韓國設備能取代日本設備，成為行業主流？其實是主抓了客户和工藝改進，同樣，如果韓國企業斷供，那就是讓出市場，給了中國供應鏈企業大蛋糕。從這個角度看，完全不要慌，不要一驚一乍。

而且，我們進一步展望最新的HBM4技術，很可能中國的技術優勢即將到來，為啥呢？根據技術推演，HBM4可能無法通過之前工藝實現高良率，需要引入混合鍵合技術，而中國廠商已經提前佈局，誰呢？長江存儲。

之前節目中，我們聊到過，長江存儲為了避免專利衝突，在研製閃存芯片時，直接選了條最難的路，搞出了Xtacking架構，其中就包含了混合鍵合工藝，搶先三星、SK海力士一步。而未來的HBM4上，很大可能需要類似工藝。

實際上，三星已經主動與長江存儲進行混合鍵合專利合作，並且正在驗證HBM4，而長江存儲旗下武漢新芯，也在佈局HBM項目。