SiC過剩預警：新能源汽車能否消化瘋狂擴產？_風聞

就在去年，“搶佔SiC，誰是電動汽車市場的贏家？”“第三代半導體，來勢洶洶”“碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕”……這樣的形容是SiC的專屬標籤，市場利好，一片光明。

好景沒有一直延續下去。“消息稱2025年中國SiC芯片價格將下降高達30%”“SiC價格跳水,開啓下半場戰役”……

新能源車爆火，那SiC怎麼了 ？

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核心矛盾：需求增長VS產能狂飆

根據預測2025年全球SiC襯底產能預計達400萬片，需求預測僅250萬片。

從需求側來看，特斯拉Model 3為第一款採用全SiC功率模塊電機控制器的純電動汽車，開創SiC應用先河。基IGBT的諸多優勢，在Model 3問世之前，世面上的新能源車均採用IGBT方案。 而 Model 3利用SiC模塊替換IGBT模塊，這加速了SiC等寬禁帶半導體在汽車領域的推廣與應用。Model 3形成“示範效應”後，多家車廠陸續跟進SiC方案。相比 IGBT，SiC 能夠帶動多個性能全面提升，優勢顯著。

2024年，特斯拉繼續引領基於SiC的BEV市場，出貨量接近200萬輛，儘管較2023年下降5%，放緩反映了BEV市場短期內的波動，但並未動搖SiC的長期增長前景。

Yole Group預計，受2026年電動汽車需求強勁反彈的推動，SiC市場將在2024年至2029年間實現近20%的複合年增長率，到2029年市場規模超過100億美元。

中國車企的崛起進一步鞏固了這一趨勢。比亞迪、蔚來、吉利和小米正積極擴展其基於SiC的BEV產品組合，試圖在電動汽車市場佔據更大份額。

市場前景樂觀，SiC行業的供需形勢卻日益複雜化。許多供應商正在加大產能投入，尤其是推動從6英寸晶圓向8英寸晶圓的過渡，以提升生產效率並降低單位成本。

然而，當前的終端系統需求似乎難以匹配這一擴張規模。行業反饋顯示，供應商公佈的總產能可能超過短期內SiC器件的實際消耗量。

從供給側來看，為應對這一挑戰，供應商正根據訂單動態調整產量，並放緩部分擴張計劃，以適應2024年和2025年的市場現實。

垂直整合成為SiC市場競爭的關鍵策略。領先企業如意法半導體、安森美、Wolfspeed和英飛凌科技正在加大對內部晶圓製造和模塊生產的投入，目標是實現10億美元的收入增長。

通過掌控從晶圓到模塊的完整生產鏈，企業能夠優化成本、提升產品質量並快速響應市場變化。例如，英飛凌科技憑藉其在汽車和工業領域的多元化佈局，2024年收入逆勢增長，而意法半導體和安森美則因BEV放緩面臨一定壓力。

今年Wolfspeed公司宣佈，其位於美國紐約州莫霍克谷的全球首家、規模最大且獨有的8英寸碳化硅（SiC）製造工廠。Wolfspeed 全球項目管理副總裁 Chris McCann 等人表示，該工廠佔地面積廣闊，在工廠建設高峯期，約有 3800 名施工人員在現場工作，未來還有 200 萬平方英尺的擴建空間。迄今為止，Wolfspeed 已為該工廠僱用了 200 多名員工，預計全面運營時，可提供1800個工作崗位。

國內，三安光電公司的碳化硅襯底及外延銷售已正式計入集成電路產品營業收入，並透露已具備16000片/月的6英寸碳化硅配套產能。此前信息顯示，截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅襯底及外延產能已達1000片/月，8英寸碳化硅芯片產線正在建設中。重慶三安的8英寸碳化硅襯底生產線已於2025年3月投產，當前產能為500片/周，並計劃逐步提升至每週1萬片。

在合資方面，湖南三安與意法半導體在重慶成立的安意法半導體已於2025年2月實現通線，首次建設產能2000片/月，規劃達產後8英寸外延、芯片年產能將達到48萬片。此外，湖南三安與理想汽車合資成立的蘇州斯科半導體，其生產的理想汽車自研自產碳化硅功率模塊已於2025年2月13日下線。

財務數據顯示，三安光電在2024年實現營業收入約145億元，同比增長16.7%，其中碳化硅業務營收突破11.4億元，同比增長高達200%，成為公司營收增長的重要驅動力。

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過剩信號已現？

2024年底，國內6英寸SiC MOS襯底價格已降至2500-2800元人民幣，全年降幅超過40%，接近成本線。從應用端看，新能源汽車是SiC市場增長的核心驅動力。國外龍頭的6並碳化硅模塊價格已降至2000元以內， 國產6並模塊價格更低至1500元左右，SiC器件在終端市場的滲透加速。國內SiC產能擴張速度迅猛，地方政府和資本市場的支持進一步助推了產業佈局。產能快速擴張也帶來了市場內卷。2025年SiC襯底市場將進入淘汰階段，中小型企業因缺乏資金和技術優勢面臨出局風險，而具備產業鏈協同能力的龍頭企業將佔據更大市場份額。

美國碳化硅巨頭Wolfspeed深陷債務危機，股價腰斬背後是65億美元債務壓頂、業績持續惡化與政府補貼懸而未決的三重困境。儘管手握120億美元訂單和技術優勢，但電動汽車需求放緩與政策博弈使其站在破產邊緣，這場危機將成為第三代半導體行業的風向標。

另外，技術上也有着替代威脅。在使用SiC基功率器件時，一直有人擔心可靠性問題，並希望應用GaN作為根本解決方案。SiC晶體有200多種類型，每種都有不同的堆疊結構和構成四面體晶體結構的四個最近的原子的排列，具體而言，主要包括“3C”、“4H”、“6”、“15R”這集中結構。

每種材料都有不同的物理特性，而4H具有高遷移率，專門用於許多功率器件。人們擔心的是，當器件在反覆加熱和冷卻的環境中使用時，可能會發生相變，導致器件質量發生變化，從而發生故障和失效。

對於GaN，則有其六方纖鋅礦結構和立方閃鋅礦兩種不同的結構。其中，前者是一種穩定相，用於器件製造；後者也是已知的，但它不是穩定相。這就是為什麼在需要高可靠性的應用中希望使用 GaN 代替 SiC。

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背後的深層原因

目前，美國政府已經承諾為該項目提供超過7 億美元（約合人民幣51億）的資助，並已撥付部分資金用於場地準備，但大部分資金都取決於 Wolfspeed 是否達到州政府設定的招聘標準。與此同時，Wolfspeed 還計劃通過《CHIPS 法案》進一步爭取聯邦資金。

Wolfspeed臨時首席執行官 Thomas Werner 表示，保持美國在半導體技術領域的競爭力是美國兩黨共同關心的問題，無論未來政治形勢如何變化，該項目的資金都將保持不變。

據此前報道，Wolfspeed的查塔姆工廠已於2024年3月舉行一期工程封頂儀式，並有一些長晶爐設備進場，預計將在2025年上半年開始生產，竣工達產後，將使Wolfspeed的SiC襯底產量擴大10倍。

值得關注的是，2019年至今，Wolfspeed旗下工廠經歷了先擴產再重組的歷程。在2019年-2023年，由於市場需求旺盛，而Wolfspeed自身產能不足，Wolfspeed合計公佈了4次擴產計劃，總投資金額超過65億美元（約合人民幣473億）。

政策驅動下的非理性投資，可能也為SiC的市場蒙上了一層薄紗。

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車企戰略搖擺

2024年，奔馳宣佈調整其原定於2030年前在主要市場實現全面電動化銷售的目標。這一決定主要是基於市場需求未達到預期，以及全球電動車需求增速放緩的現實。奔馳發現，電動車的普及速度低於之前的預測，同時不同地區的市場對新能源汽車的接受程度和發展的節奏存在較大差異。

寶馬則採取了燃油車與電動車並行發展的策略。儘管寶馬持續推動電動化進程，但並未完全停止燃油車的研發與生產。寶馬認為，在未來相當長的一段時間內，電動車與燃油車將共同存在於市場上。因此，寶馬選擇了更為靈活的發展路徑，同時研發新一代內燃機以滿足日益嚴格的排放標準。

豐田在電動化戰略上也進行了相應調整。2022年，豐田取消了部分電動車型的生產計劃，並明確表示電動車並非解決環境問題的唯一手段。豐田更加關注混合動力和氫能源技術的發展，認為電動車在生產製造及電池回收過程中可能會帶來新的環境問題。

福特因電動車銷量不佳及潛在的安全隱患問題，宣佈減少對電動車領域的專注度。

同時，中國造車新勢力正通過垂直整合加速SiC技術自主化。蔚來已成功自研量產首款900V SiC電驅系統，搭載於ET7等二代平台車型，實現模塊成本降低30%；小鵬汽車與本土供應商聯合開發的SiC控制模塊，使其G9車型充電效率提升25%。這種差異化路徑源於三個關鍵因素：首先，中國建立了相對完整的SiC產業鏈，從襯底（天科合達）到器件（比亞迪半導體）的國產化率已達40%；其次，新勢力車型普遍定位高端，能消化SiC的溢價成本；更重要的是，自主掌控核心技術有助於構建差異化競爭力，如蔚來自研模塊使其最大電流承載能力提升15%。行業數據顯示，雖然全球車企的SiC車型規劃出現波動，但中國電動車市場的SiC滲透率仍保持年均50%的增長，預示着技術路線的分化可能將持續整個產業轉型期。