DRAM市場，將創新高_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

傳統通用型DRAM和服務器高價值DRAM量價齊升雙重驅動，2025年DRAM市場有望創新高。

根據CFM最新報告顯示，2025年年初至今，NAND Flash市場綜合價格指數上漲9.2%，DRAM市場綜合價格指數上漲47.7%。其中，6月NAND Flash市場綜合價格指數上漲0.8%，DRAM市場綜合價格指數上漲19.5%。

以DDR4/LPDDR4X為代表的傳統DRAM產品，從2024年下半年供應過剩到2025年上半年供不應求的劇烈反轉，對服務器和消費類終端造成較大沖擊。在AI驅動的內存升級浪潮、原廠保利潤的供應策略與下游長尾剛性需求的疊加作用下，傳統通用型DRAM和服務器高價值DRAM量價齊升雙重驅動，預計將推動2025年DRAM市場創下歷史新高。

美光DRAM相關業績情況

根據美光公佈的截至2025年5月29日的FY2025Q3財季業績，營收93億美元，同比增長37%，淨利潤21.81億美元，同比增長210.7%。這一業績得益於DRAM業務營收創歷史新高，其中HBM營收環比增長近50%；數據中心營收同比增長逾一倍；面向消費者的終端市場也實現了強勁的環比增長。

其中，DRAM在本季度收入70.71億美元，佔總收入的76%，環比增長15.5%。DRAM Bit出貨量環比增長超20%，DRAM ASP環比下降低個位數百分比（1%-3%）。

在技術進展方面，美光1-gamma DRAM技術節點良率提升速度甚至超過了此前1-beta節點創下的紀錄，此外還完成了基於1-gamma的LPDDR5 DRAM首批認證樣品的出貨。

美光1-gamma DRAM採用極紫外光刻（EUV）技術，相比1-beta節點可實現位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光的尖端DRAM節點（例如 1 beta 和 1 gamma）專注於最新一代產品，例如 DDR5、LPDDR5 和 HBM，而DDR4和LPDDR4主要採用1-alpha DRAM 節點生產。

SK海力士DRAM相關業績情況

根據SK海力士2025年第一季度財報，公司營收達17.64萬億韓元，同比增長42%，營業利潤7.44萬億韓元，同比增長158%。其中，DRAM業務營收環比實現高個位數增長，平均銷售價格（ASP）持平。SK海力士在財報電話會議上表示，總銷售額中有80%來自DRAM。SK海力士一季度總銷售額為17.6391萬億韓元，其中約有14.1112萬億韓元來自DRAM。

根據Counterpoint報告顯示，在SK海力士DRAM總出貨量中，HBM的佔比僅為14%，但其在銷售額和營業利潤中的佔比分別達到了44%和54%。SK海力士通過HBM實現了約6.2089萬億韓元的銷售額。

值得一提的是，Counterpoint數據表明，今年一季度SK海力士以36%的市場份額，在DRAM營收上首次超越三星，成為行業新“老大”，這是四十多年來首次改寫市場格局。

三星DRAM相關業績情況

根據三星電子2025年第一季度財報，公司營收達79.1萬億韓元，創歷史新高。其中，存儲營收為19.1萬億韓元，環比減少17%，同比增長9%；存儲業務所在的DS部門Q1經營利潤為1.1萬億韓元，環比減少62%，同比減少42%。

最新消息稱，目前三星電子已完成D1c DRAM的開發，預計該款產品將很快投入量產，並將成為第六代高帶寬存儲器HBM4的基礎，HBM4計劃於今年下半年實現量產。

D1c DRAM是10納米早期工藝的產品。自去年全永鉉副董事長就任DS部門負責人以來，三星電子開始檢驗DRAM的競爭力並改進整體設計。據悉，為了提高良率，三星電子還採用了“乾式光刻膠”等新材料和技術。三星電子預計將通過逐步提高D1c的生產比例，同時降低上一代產品的比例來確保穩定的量產良率。通常，量產轉移後的初期良率約為50%，而達到80-90%的穩定良率大約需要6個月的時間。

三星電子已制定計劃在韓國華城工廠建設1c DRAM生產線，預計該項投資最早將於今年年底完成。此前，三星電子在平澤第四園區（P4）建設第一條1c DRAM量產線，規劃產能為每月3萬片。

根據TrendForce最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM方面，16Gb DDR4消費級DRAM芯片現貨價格持續上漲，而8Gb DDR4等PC級DRAM芯片則出現小幅回調。NAND Flash方面，隨着供應商產能資源逐步釋放，加之中國國家補貼政策效應減弱，導致現貨市場低迷。具體情況如下：

DRAM現貨價格

雖然現貨價格在過去一週開始略有下降，但這主要反映了此前DDR4芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4消費級DRAM芯片的現貨價格持續上漲，而8Gb DDR4等PC DRAM芯片的現貨價格則出現小幅回落。TrendForce預計，短期內現貨價格將基本保持穩定。主流芯片（例如DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格從上週的5.153美元下跌至本週的5.073美元，跌幅為1.55%。

由於主流DRAM製造商轉向生產新一代DDR5和LPDDR5X產品，並將於2025年底前大幅削減DDR4和LPDDR4的產量，這導致近期成熟製程DRAM價格上漲明顯。 DDR4和LPDDR4被視為成熟製程產品。

回溯DDR4的漲價歷史，由於存儲原廠開始停產DDR4，5月中下旬DDR4報價逐步上漲，但彼時其價格仍低於DDR5；6月上旬開始出現倒掛，DDR4現貨價超過DDR5，而兩週之後的現在，DDR4現貨價格較DDR5高出一倍，價格飆漲速度可見一斑。

在今年一季度最後一個交易日，DDR4 16Gb（1Gx16）3200現貨均價為3.95美元，不到一個季度即飆漲兩倍；DDR4 8Gb（1Gx8）3200則從1.63美元大漲至6月23日的5.2美元，漲幅則接近2.2倍。

上文提到的價格均為現貨價格，而在業內人士看來，現貨漲價後，DDR4合約價格也有望水漲船高。

存儲模組公司威剛近日表示，公司訂單需求旺盛，客户“下大單排隊等出貨”，工廠已經連續5個月加班生產，現階段訂單能見度已至9月。其強調，當前上游原廠對DRAM與NAND Flash價格態度仍相當強勢，特別是已規劃逐步停產的DDR4，在下游提前備貨的強大需求下，第三季度合約價漲勢已喊出30%-40%的幅度。

NAND閃存現貨價格

目前現貨市場成交低迷。現貨價格通常反映市場走勢，早於合約價上漲，因此現貨價格普遍高於合約價。隨着供應商產能資源逐步釋放，加之中國國家補貼效應減弱，現貨市場成交低迷，整體成交量明顯萎縮。本週512Gb TLC晶圓現貨價格下跌0.11%，報2.680美元。

過去幾年，NAND 供過於求，需求年增率從 30% 下降到 10%-15%。但 AI 技術的迅猛發展，正在成為新的增長引擎。

自 ChatGPT、AIGC 等 AI 應用爆火後，對算力和存儲的需求呈現出指數級增長。機構預測，到 2025 年，全球企業級 SSD 的 bit 需求量至少增長 30%。

面對這一輪供應緊張、需求回暖的市場行情，其他廠商也紛紛跟進漲價。比如，閃迪（SanDisk）早在 3 月 6 日就宣佈，自 4 月 1 日起，全渠道存儲產品漲價超過 10%，並且還計劃實施季度性動態調價。官方給出的理由是供需失衡和國際關税壓力。

整個 NAND 市場的漲價潮已經愈演愈烈，但這波價格反彈能否持續，還得看終端市場的接受程度。如果 NAND 價格上漲過快，可能會讓消費者更加謹慎，進一步壓制需求。此外，AI 終端產品，比如 AI PC、AI 眼鏡、AI 耳機等，目前還處於起步階段，是否能引發大規模換機潮，仍然存疑。

比如在手機市場，據CFM閃存市場數據顯示，預計2025年手機NAND平均容量達到224GB，DRAM平均容量超過8GB。NAND方面，搭載eMMC和UFS2.2的中低端機型仍然是出貨主力，128GB及以下的eMMC/UFS2.2的供應以存儲品牌模組廠商和國產廠商居多，256GB起步的高端機型更多地集中應用三星、SK海力士等原廠的UFS4.0/4.1。而隨着原廠NAND製程升級，低容量NAND Flash產出減少，1Tb NAND Flash Wafer供應增加。同時，由於高端旗艦機型佔比提升有限，UFS4.0/4.1整體供應充足。因此，反映在手機終端應用的嵌入式NAND產品上，呈現低容量嵌入式NAND供應整體趨於緊平衡，而256GB及以上UFS4.0供應充足價格壓力較大。不過原廠出於堅定保利潤的角度，對於嵌入式NAND價格讓步空間預計將十分有限。

*聲明：本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯繫後台。