半導體晶圓廠重組，透露哪些信號？_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自allaboutcircuits

“一刀切”的硅時代正在讓位於更加專注、以地區為導向的半導體市場。

僅僅在過去幾周裏，四家主要參與者——台積電、英飛凌、GlobalFoundries和德州儀器——就做出了事關重大的聲明，這些聲明加在一起，為未來的十年計算和電力領域規劃了路線。

GaN技術在台積電已經成熟，但在英飛凌的擴展速度很快。GlobalFoundries （GF） 正在整合 MIPS，以提供定製的 RISC-V AI 平台。而德州儀器 （TI） 正通過史上規模最大的美國晶圓廠投資，加倍致力於美國製造的模擬芯片。

台積電退出GaN代工業務

台積電將於2027年7月之前逐步縮減其GaN晶圓代工業務，原因是中國競爭對手帶來的不可持續的價格壓力，以及向先進封裝和專注於AI的硅技術方向的調整。GaN在台積電的產量中僅佔一小部分——每月僅3000至4000個晶圓——但中國不斷增加的補貼和規模已經侵蝕了其盈利能力。相反，台積電將重新利用新竹5號廠來支持CoWoS、WoW和WLSI技術，以滿足日益高漲的AI需求，該領域利潤率更高，差異化也更強。

這一舉措標誌着從利基複合半導體轉向與台積電核心優勢更契合的大規模密集型平台。這還重塑了市場：從2026年起，Navitas將把生產轉移至PSMC，而英飛凌等廠商則開始投入300毫米GaN生產。對於設計工程師而言，影響將是漸進的但意義深遠，他們應預見到更緊密、更區域化的GaN供應鏈，以及複合半導體晶圓代工服務在2027年前不斷整合的趨勢。

英飛凌的GaN戰略

隨着其他廠商的退出，英飛凌的GaN戰略正在擴大規模。

英飛凌轉向300毫米GaN晶圓製造，是經過周密考量後對市場需求和競爭態勢的回應。隨着台積電計劃在2027年前退出GaN晶圓代工服務，加之來自中國的價格競爭正在擠壓利潤空間，英飛凌正加倍押注於其集成器件製造商模式，通過內部生產來控制設計。

通過利用其位於奧地利的現有3億平方毫米硅晶圓廠，英飛凌不僅加速了GaN的規模化進程，還降低了成本並確保了設計靈活性，從而將自己定位為人工智能系統、電動汽車、機器人技術和太陽能逆變器等高功率應用領域的重要供應商。

這一轉變反映了更廣泛的技術趨勢。在新一代電力電子領域，氮化鎵的高效率、小尺寸和快速開關能力正日益受到青睞，超過硅材料。預計到2025年第四季度將有客户樣品交付，而過去一年裏已發佈了超過40款氮化鎵產品，工程師們最早可能在2026年就能在設計中看到實際效果。

GlobalFoundries 收購 MIPs

GlobalFoundries收購MIPS標誌着其有策略地進軍日益壯大的邊緣AI和即時計算市場。通過將MIPS基於RISC-V的Atlas處理器IP與其差異化的製造平台相結合，GF旨在提供從硅到軟件的垂直集成解決方案。此舉明顯是對客户需求的回應，這些客户需要在汽車、工業和數據中心應用中實現具備AI能力的低延遲計算，而開放架構和物理AI正在這些領域獲得越來越多的關注。

該協議還標誌着GF逐漸擺脱對第三方處理器IP的依賴。通過擁有可擴展且免版税的運算堆棧，GF可以針對特定工作負載定製AI加速器與即時核心。隨着MIPS繼續作為獨立業務運營，工程師們可以期待逐步整合，其效果可能會在從2026年開始的設計週期中顯現。此舉使GF不僅成為一家晶圓廠，還成為碎片化的半導體市場中一個全面的運算合作伙伴。

德州儀器投入600億美元用於美國生產

德州儀器宣佈了一項歷史性的投資計劃，將在美國的七座晶圓廠投入總計600億美元，此舉彰顯了其對於將基礎芯片生產回遷本土的堅定承諾，尤其是對於從電動汽車到人工智能數據中心等各個領域都至關重要的模擬和嵌入式處理器。

通過專注於成熟的300毫米節點和垂直集成，TI避開了高風險的前沿技術，為蘋果、福特、英偉達和SpaceX等合作伙伴構建了一個穩定、可擴展的供應體系。此舉不僅強化了美國的半導體自主性，還兼顧了長期的國家安全及產業產能目標。

工程師們將在2025年看到實際影響，因為Sherman的SM1晶圓廠開始投產，其他工廠也將在2030年前陸續啓動。TI的策略注重成本效率（比200毫米晶圓廠低40%）、生命週期長度和環境可持續性，這一切都被納入一項由美國主導的、得到《CHIPS法案》資金支持的策略中。對於工程界而言，這應該意味着更多的國內採購選項，併為下一波智能、電動系統奠定可靠的基礎。

這些公告表明，那種“一刀切”的硅時代正在讓位於更加專注、以地區為導向的半導體市場，在這些市場中，效率、集成以及針對特定應用的設計將佔據主導地位。

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