閃迪，放棄550億美元半導體項目投資_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

閃迪所放棄的這座工廠曾被視為密歇根州引領下一代美國半導體生產的潛在支柱。

美國密歇根州州長惠特默（Whitmer）在週三（7月16日）的一份聲明中表示，一家原本選擇在蒙迪鎮（Mundy）建廠的公司取消了計劃，導致價值550億美元的半導體制造項目交易失敗，該項目曾預計將為傑納西縣（Genesee）帶來多達10000個就業崗位。

惠特默在接受採訪時證實，總部位於加州的Sandisk（閃迪公司）已放棄在蒙迪鎮先進製造區建造大型芯片製造廠的計劃。該工廠被視為密歇根州引領下一代美國半導體生產的潛在支柱。

據悉，美國密歇根州州政府官員和經濟開發商在幕後工作了一年多，以確保這項投資成為密歇根州歷史上最大的投資之一。

美國曾經在半導體和集成電路的開發和製造方面領先世界。2800億美元的美國《芯片與科學法案》旨在重建美國作為半導體制造超級大國的地位，並減輕對外國晶圓廠的依賴。

在鉅額融資法案通過兩年後，英特爾雄心勃勃的代工戰略因又一次高管變動和剝離陷入困境的製造部門的呼聲而陷入質疑。

英特爾在建立美國替代外國晶圓廠的努力中發揮了核心作用，但它並不是唯一一家符合這一要求的美國大型芯片製造商。

去年前首席執行官帕特·基辛格突然離職後，英特爾還在等待制定新的發展路線，而美國內存巨頭美光科技則已做好準備，與規模更大的競爭對手 SK 海力士和三星電子展開競爭。

英特爾尚未證明其大眾市場工藝技術的商業可行性，而美光則已展示出生產尖端內存模塊的能力。儘管規模比韓國競爭對手小得多，但美光仍是全球最大的內存供應商之一。

據Tom’s hardware報道，美國存儲芯片大廠美光（Micron）近日詳細介紹了其不久前宣佈的對美國投資2000億美元的投資計劃。

在今年6月12日，美光就宣佈，其計劃將在美國的存儲製造投資擴大到約 1500 億美元，研發投資也將擴大到 500 億美元，從而創造約 90,000 個直接和間接工作崗位。

其中，1500億美元的投資包括：在愛達荷州博伊西建造第二家領先的內存工廠；擴建其位於弗吉尼亞州馬納薩斯的現有製造工廠並對其進行現代化改造；位於紐約的多達四家領先的大批量晶圓廠；並將先進的HBM封裝能力引入美國，以實現對 AI 市場至關重要的高帶寬內存 （HBM） 的長期增長。此外，美光宣佈計劃投資 500 億美元提升美國國內存儲芯片技術研發，再次鞏固其作為全球內存技術領導者的長期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預期的市場需求，保持美國市場份額並支持美光在美國生產 40% 的 DRAM 的目標。

根據美光最新公佈的信息顯示，該投資計劃的第一部分涉及在愛達荷州博伊西附近建造世界上最大、最先進的 DRAM 生產設施之一，現在稱為 Fab ID1。一旦完全配備生產設備，ID1 的潔淨室面積將達到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。這大約是 GlobalFoundries 的 Fab 8 潔淨室產能的兩倍，與競爭對手三星和 SK 海力士在韓國運營的大型晶圓廠相當。

美光在愛達荷州的Fab ID1 將於 2025 年 6 月達到了一個關鍵的建設里程碑，預計將於 2027 年下半年開始生產晶圓，此後將獲得客户資格認證。愛達荷州的第二座晶圓廠Fab ID2 將建在ID1附近，受益於共享基礎設施和研發共址。美光預計Fab ID2 將在紐約工廠之前投入生產，儘管該公司沒有詳細説明確切的時間。

雖然美光在愛達荷州的Fab ID2 廠破土動工，ID1 也預計將在幾年內開始運營，但該公司仍在努力推動位於紐約的多達四家領先的大批量晶圓廠的計劃。美光計劃在完成聯邦和州環境審查後，到 2025 年底開始其紐約工廠的地基工作。美光的紐約計劃比愛達荷州的計劃更加雄心勃勃，因為它涉及四個晶圓廠階段，潔淨室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。雖然尚未宣佈該工廠的具體生產時間表，但很明顯，該工廠是美光長期戰略努力的一部分，旨在建立強大的美國國內製造足跡，以支持商業和國家計算需求。

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