鎧俠BiCS9 3D NAND樣品，開始出貨_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

這是 BiCS10 更復雜、高密度架構製造和性能調整的過渡步驟。

Kioxia 和 SanDisk 已開始提供其第九代 BiCS FLASH 的樣品出貨。BiCS FLASH 是一種 NAND 閃存技術，融合了傳統架構與現代增強功能，在當前的 BiCS8 和即將推出的 BiCS10 之間架起了一座橋樑。

日前，鎧俠在ISSCC 2025上公佈了其第十代BiCS FLASH閃存技術。據TomsHardware報道，BiCS10 FLASH 3D NAND閃存採用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨製造後粘合在一起。這不是什麼新鮮事，畢竟在第八代BiCS FLASH閃存技術上就已經這麼做了。不過亮點在於，鎧俠採用了Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，將NAND I/O接口速度從3.6Gbps提升至4.8Gbps。

速度的提升還有部分原因在於NAND閃存層數的增加，從第八代BiCS FLASH閃存技術的218層增至332層，總層數增加了38%。優化平面佈局後，位密度提升了59%，進一步增強了存儲密度。鎧俠曾表示，到2027年製造總層數達到1000層的3D NAND閃存，顯然322層比起來仍然有較大距離。

此外，新一代3D NAND閃存還引入了PI-LTT技術，從而降低了功耗，其中數據輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。鎧俠首席技術官宮島秀表示，隨着人工智能（AI）技術的普及，預計產生的數據量將大幅增加，因此現代數據中心對提高能效的需求也在增加。

BiCS10預計將通過尖端的 332 層設計提供更高的容量，而 BiCS9 則採用了更成本優化的方法，面向專為AI 工作負載和中端存儲解決方案構建的企業級SSD，在這些應用中，效率和性能的平衡至關重要。

BiCS9 的獨特之處在於其混合結構，該結構通過CMOS直接鍵合陣列 (CBA) 技術實現。在此工藝中，邏輯單元和存儲單元晶圓在優化條件下分別製造，然後鍵合到單個高性能封裝中。這項創新使鎧俠能夠將成熟的單元結構（例如 112 層 BiCS5 或 218 層 BiCS8）與現代 I/O 接口進行混合搭配。最終，該芯片能夠提供高達 3.6 Gb/s 的 Toggle DDR 6.0 速度，在受控測試條件下峯值速度可達 4.8 Gb/s。

儘管 BiCS9 的層數少於 BiCS8 或下一代 BiCS10，但它仍然帶來了顯著的升級。與之前的 512 GB TLC 設計相比，寫入性能提升了 61%，讀取速度提升了 12%，寫入時的功耗效率提升了 36%，讀取時的功耗效率提升了 27%。位密度提升了 8%，進一步彰顯了 BiCS9 的精湛工藝，使其能夠在不增加成本的情況下提供強勁性能。

Kioxia 的路線圖將 BiCS9 定位為一個過渡步驟，使公司能夠在 BiCS10 更復雜、更高密度的架構之前改進製造技術和性能調優。這一戰略尤為重要，因為 AI 驅動的數據工作負載需要更快、更低功耗、能夠以最小延遲為 GPU 提供數據的存儲解決方案，尤其是在AI 熱潮帶來的極度擴張背景下。

Kioxia 的 BiCS9 方案與三星和美光等競爭對手形成了鮮明對比，後者正積極拓展層數以實現產能提升。競爭對手紛紛將層數提升至 300 層以上，而 Kioxia 則專注於混合架構，以加快產品上市速度並提高成本效益。與 SanDisk 這樣面向消費者的行業資深人士合作，確保了 Kioxia（NAND 閃存的發明者）能夠通過混合研發策略保持強大的競爭力。

因此，鎧俠與閃迪的長期合作關係對 BiCS 系列的打造起到了至關重要的作用，將日本的製造專業知識與閃迪在存儲市場的深厚影響力完美結合。自 2006 年合資成立以來，兩家公司已共同開發了多代 3D NAND 技術，不斷突破擴展和性能的極限。BiCS9 是鎧俠的全新旗艦產品，同時也體現了鎧俠自身在樹立行業新標準方面的努力。

未來3D NAND 技術技術是否會向更高層數發展，鎧俠的答案是會的。從技術來講，1000層以上的閃存堆疊是可以實現的，但是取得性能和成本之間的適當平衡非常重要，也看市場對閃存密度、容量、性能的綜合需求，再去進行響應和開發。

由於提高堆疊層數會大大增加成本，技術難度也較大，鎧俠將推進包括水平方向在內的存儲密度。鎧俠曾表示，其實對於閃存來説，重要的不是增加堆疊層數，而是提高存儲密度。為此，鎧俠正通過更好地平衡堆疊、橫向收縮、CBA技術等來開發新產品，進一步提升性能、降低功耗也非常重要的。

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