佳能新光刻機工廠，來了_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

佳能新工廠主攻成熟製程及後段封裝應用設備。

據報道，佳能位於日本宇都宮市的新光刻機制造工廠將於9月正式投入量產，主攻成熟製程及後段封裝應用設備，為全球芯片封裝與成熟製程市場提供更多設備產能支持。

根據此前報道，這座新工廠是佳能在2023年開始動工建設的，並可能使用自家開發的Nanoimprint（納米壓印）技術，總投資額超過500億日元，涵蓋廠房與先進製造設備。新廠面積約7萬平方米，主要增產光刻設備，建成後預計產能將提高2倍。之前佳能在宇都宮事務所和阿見事務所等2處工廠內生產半導體光刻設備，主要用於製造汽車控制等的半導體產品。

目前，荷蘭ASML幾乎壟斷了全球90%以上的光刻機市場，不僅面向先進製程的浸沒式DUV光機市場，ASML幾乎獨佔，在極紫外光（EUV）光刻機領域更是隻有ASML一家供應商。但是，在成熟製程（I-line和KrF)及先進封裝光刻機領域，佳能仍有一席之地。特別是後段製程設備，約佔其總銷售額的30%，主要供應台積電等封裝客户，用於中介層與多芯片模塊製作，與ASML在市場定位上並不直接競爭，而是專攻ASML不重視的市場。

佳能的新工廠將生產i-line和氟化氪光刻機設備，這些是用於製造成熟節點半導體的成熟技術。佳能工廠還將生產納米壓印設備，這是下一代光刻系統。據瞭解，NIL技術是在一個特殊的“印章”上，先刻上納米電路圖案，然後再將電路圖案“壓印”在晶圓上，就像蓋章一樣。由於沒有鏡頭，NIL技術比EUV要省錢很多。根據佳能等廠商發佈的消息，NIL的耗電量可壓低至EUV生產方式的10%，設備投資也將降低至40%。

佳能與鎧俠、大日本印刷等半導體企業，從2017年就開始合作研發NIL的量產技術。2024年，佳能宣佈向總部位於美國得克薩斯州的半導體聯盟得克薩斯電子研究所交付佳能最先進的納米壓印光刻NIL系統FPA-1200NZ2C。

據瞭解，佳能的FPA-1200NZ2C系統可實現最小14nm線寬的圖案化，支持5nm製程邏輯半導體生產。該設備將在得克薩斯電子研究所用於先進半導體的研發和原型的生產。佳能光學產品副總裁巖本一典表示，公司的目標是在三到五年內每年銷售約10到20台，該設備由佳能與Kioxia和大日本印刷公司合作開發。

此外，佳能關注成熟設備的原因在於生成式AI的熱潮。AI半導體需要更高的計算能力，但電路的微型化正接近極限。作為替代方案，芯片製造商已開始將多個半導體組合成單個模塊。這種半導體的捆綁工藝屬於後端工藝，通常與光刻工藝無關。但為了連接多個半導體，必須形成新的“中介層”來連接芯片和基板。

佳能很早就意識到了電路微型化的侷限性，並於2011年率先推出用於後端工藝的光刻設備。佳能高級常務董事Hiroaki Takeishi表示，後端設備目前佔總銷量的30%，“佳能幾乎擁有所有主要半導體制造商用於後端工藝的光刻設備。”佳能將根據客户的反饋不斷改進產品，目標是2025年銷售225台半導體光刻設備，同比增長9%。2015年至2020年期間，年均銷售量約為90台。

隨着AI芯片推動CoWoS 與多芯片封裝需求持續攀升，佳能在封裝光刻機領域的技術優勢有望持續受益。新廠投產將有助於佳能在全球光刻機市場中穩固既有優勢，併為AI與先進封裝需求提供更靈活的產能應對。

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