HBM4，路線各不同_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星計劃在其HBM4產品中使用1c DRAM，而SK海力士則計劃在同一類別中採用上一代1b DRAM。

在全球存儲芯片行業最新戰場——10納米級第六代DRAM領域（1c、11-12納米級）競賽中，三星電子與SK海力士採取了截然不同的策略。

為了從上一代產品的挫折中恢復過來，三星迅速採取行動，投資新的生產設施，而 SK 海力士則推遲大規模支出，直到在與包括 Nvidia 在內的主要客户談判中確認明年的供應承諾，確保盈利能力。

預計三星將比SK海力士提前三到四個月開始量產1c DRAM。分析師表示，如果三星成功向英偉達供應採用新工藝生產的DRAM的第四代高帶寬內存（HBM4），它有望重奪約30年來首次失去的市場領先地位。

每一代 DRAM 都採用更先進的製程技術，通過縮小電路線寬來減小芯片尺寸並提高密度，從而提升性能和能效。三星、SK 海力士和美國美光科技公司目前正在 10 納米級第四代（1a、14 納米級）和第五代（1b、11-12 納米級）DRAM 市場展開競爭。業內觀察人士預計，1c DRAM 的競爭將從明年開始升温。

據業內人士8月11日透露，三星已於第一季度開始陸續訂購1c DRAM生產設備。該公司自今年上半年以來一直在採購DRAM製造工具，預計將於年底完成生產線建設，並全面投入量產。SK海力士計劃最早於第三季度開始訂購設備，並計劃於明年實現量產。

三星一直試圖在1c DRAM產量上超越SK海力士，以彌補其1a和1b產品線的失誤。近年來，該公司一直致力於解決DRAM質量問題，這些問題嚴重到需要重新設計已量產的芯片。這些問題也影響了其HBM產量，導致HBM市場出現虧損，並讓三星失去了近30年來一直保持的DRAM市場領先地位。

市場追蹤機構 Omdia 報告稱，2025 年第一季度，SK 海力士佔據了 DRAM 市場 36.9% 的份額，超過三星（份額為 38.6%），位居第二。

三星計劃在其 HBM4 產品中使用 1c DRAM，而 SK 海力士則計劃在同一類別中採用上一代 1b DRAM。由於三星在 HBM 領域落後於 SK 海力士，因此它寄希望於 DRAM 的代際飛躍來確保性能優勢。第二季度，三星向其最大的 HBM 客户英偉達交付了 HBM4 樣品，目前正在進行質量測試。SK 海力士已於第一季度向英偉達交付了 HBM4 樣品，並正在就明年的供應量進行磋商。

SK海力士計劃在今年下半年大規模訂購1c DRAM設備。儘管其1c DRAM技術被認為已準備好立即量產，但該公司仍採取謹慎的策略，專注於為英偉達和其他主要客户生產基於1b DRAM的第五代HBM（HBM3E）。SK海力士計劃在第三季度敲定明年的供應協議，並在盈利能力得到保證後繼續投資。

據悉，在即將於本月25日舉行的韓美峯會上，人工智能(AI)半導體成為重要議題，三星電子、SK海力士等韓國主要半導體企業正在敲定對美國的追加投資計劃。報道成為，三星電子在獲得特斯拉、蘋果等大型科技客户大額訂單後，正積極考慮擴大當地投資，包括向去年底投資計劃中未包括的封裝設施追加10萬億韓元（約合72億美元）。

三星電子原計劃向位於美國德克薩斯州泰勒市的晶圓代工(半導體代工)工廠投資440億美元，但由於去年底業績不佳，該公司調整投資節奏，投資計劃隨後下調至370億美元。最初的投資計劃包括4nm和2nm晶圓代工工廠、先進封裝設施以及先進技術研發設施。然而，由於當時難以獲得客户，導致先進封裝設施的 70 億美元投資全部被放棄。

然而，三星電子於7月28日與特斯拉簽署了價值23萬億韓元（165億美元）的AI芯片的多年供應合同，並在短短十天後成功獲得蘋果圖像傳感器的訂單，這進一步凸顯了其建設尖端封裝工廠的必要性。為了規避美國關税壓力，從核心芯片製造到後期處理，所有環節都必須在本地完成。三星電子在爭取大型科技客户方面最重要的優勢在於其集內存、晶圓代工和封裝於一體的交鑰匙服務。

三星電子對於美國的追加投資，預計不僅在封裝方面，在設備和材料方面的投資也將增加。截至今年第一季度末，泰勒Fab 1工廠的建設已完成91.8%，預計將於10月底竣工。三星電子計劃在年內先完成潔淨室的建設，然後在明年陸續安裝半導體生產設備。一家為泰勒工廠供應半導體材料的公司的高管表示：“據我瞭解，由於預期本地投資將增加，目前正在就擴大供應進行商談。”

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