內存巨頭，“命門”被緊握_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

材料壟斷下，HBM突圍難在哪？

韓國在DRAM 和 NAND 閃存等內存產品領域成績斐然，處於世界領先地位。然而，在半導體產業鏈的關鍵環節 —— 材料供應方面，韓國卻面臨着嚴峻的現實，其對日本的依賴程度頗深。消息人士發出警告，倘若韓國不能加快實現半導體材料的本土化供應，這種依賴極有可能成為韓國在人工智能和高帶寬內存（HBM）競賽中的結構性風險，對其半導體產業的持續發展構成嚴重阻礙。

報告指出，在SK 海力士的 HBM 價值鏈裏，超精細硅通孔（TSV）堆疊結構對關鍵材料和設備的依賴尤為突出，而這些關鍵材料和設備大多被日本企業所壟斷。以 HBM 堆疊必不可少的底部填充材料為例，幾乎全部由日本 NAMICS 公司供應。儘管韓國一直在努力尋求替代方案，但由於可選擇的替代產品極為有限，導致其本土化進程舉步維艱，進展十分緩慢。

在硅晶圓採購方面，SK 海力士對日本企業的依賴同樣顯著。信越化學公司作為全球半導體晶圓市場的巨頭，目前掌控着約 30% 的全球市場份額，是該領域市場佔有率最高的企業。若將同樣來自日本的 SUMCO 公司計算在內，日本企業在全球半導體晶圓市場的份額預估將高達 70%。這意味着韓國在半導體晶圓這一基礎且關鍵的材料供應上，嚴重受制於日本。

日本在HBM 生產領域佔據着核心地位，SK 海力士的 HBM 製造過程對日本材料供應商存在多方面的依賴。例如，SK 海力士的大部分光刻膠（PR）從東京應化工業（TOK）採購，而封裝材料（EMC）則主要依靠 JSR 和旭化成提供。這些材料對於 HBM 的製造質量和性能起着決定性作用，任何一環的供應受阻都可能對 SK 海力士的 HBM 生產造成重大沖擊。

從政策層面來看，自2019 年日本對韓國實施部分芯片材料出口管制後，韓國政府意識到了問題的嚴重性，開始大力推動半導體材料國產化戰略。韓國政府每年投入 2 萬億韓元（約合 103 億元人民幣）用於支持相關研發，時任總統文在寅也曾帶頭走訪韓國國內芯片相關企業基地，鼓勵推動相關材料的國產化進程。然而，幾年時間過去了，成果並不顯著。以受管制的三種關鍵材料為例，氟化氫在 2020 年日本對韓國出口鋭減 86%，但從 2021 年開始反彈，同比增加 34%，2022 年 1 月至 4 月同比再增長 30%，目前增加趨勢仍在持續；日本光刻膠對韓出口量同比保持兩位數增長，氟化聚酰亞胺僅出現微降。這表明韓國在關鍵材料與日本 “脱鈎” 的進程仍在 “原地踏步”。

韓國半導體材料供應鏈建設之所以進展遲緩，其中一個重要原因在於日本企業長期的積累。歷經二三十年的發展，日本企業在半導體材料領域積累了海量的數據，同時贏得了客户的高度信任。這種先發優勢使得韓國企業即便成功開發出替代材料，也需要耗費數年時間去積累數據、優化工藝，才能達到量產的標準並獲得市場認可。

技術層面的壁壘同樣是韓國半導體材料產業發展的巨大阻礙。儘管韓國擁有LG 化學和樂天化學等頗具實力的企業，但這些企業涉足半導體材料領域的時間較短，尚處於起步階段。半導體材料的研發和生產需要深厚的技術沉澱，從基礎的材料合成到滿足半導體制造的高精度、高純度要求，每一步都充滿挑戰。日本企業憑藉長期的研發投入和技術積累，在材料的性能、質量穩定性等方面佔據明顯優勢，韓國企業要想突破這些技術壁壘，實現半導體材料的自主可控，仍需付出巨大的努力。

在國際市場競爭方面，韓國半導體企業不僅要應對日本企業在材料供應上的主導地位，還要面臨來自其他國家和地區的競爭壓力。例如，中國半導體企業正加速追趕，試圖在HBM 等高附加值領域實現突破。近年來，中國通過政策支持、資本投入和技術創新，推動半導體產業加速發展。此外，中國企業在 AI 芯片設計、封裝測試等領域的進步，也為 HBM 的國產化奠定了基礎。這對韓國半導體企業在全球市場的份額構成了潛在威脅。

在全球半導體產業競爭日益激烈，尤其是人工智能和HBM 等新興領域蓬勃發展的背景下，加快半導體材料的本土化進程已成為韓國半導體產業亟待解決的關鍵問題。

*聲明：本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯繫後台。