存儲器界首台量產型High NA EUV光刻機，SK海力士引入_風聞

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

SK海力士採用新一代ASML光刻系統生產DRAM。

SK海力士宣佈，已將業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠。

此次引進的設備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產型High-NA EUV設備。與現有的EUV設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠製作出精密度高達1.7倍的電路圖案，並將集成度提升2.9倍。

SK海力士計劃通過引進該設備，簡化現有的EUV工藝，並加快下一代半導體存儲器的研發進程，從而確保在產品性能和成本方面的競爭力。SK海力士表示：“在全球半導體市場競爭愈發激烈的背景下，公司已成功構建起快速研發並供應高端產品以滿足客户需求的堅實基礎。通過與合作伙伴的密切協作，公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性。”

半導體制造公司為了提升產品性能和生產效率，微細製程技術的優化顯得尤為重要。電路圖案製作越精密，每塊晶圓上可生產的芯片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10納米級（1a）DRAM中引入EUV技術以來，持續將EUV應用擴展至先進DRAM製造領域。然而，為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求，引進超越現有EUV的下一代技術設備必不可少。

ASML韓國公司總經理金丙燦社長表示：“High NA EUV是開啓半導體產業未來的核心技術。我們將與SK海力士緊密合作，積極推動下一代半導體存儲器技術的創新進程。”

SK海力士未來技術研究院長兼技術總管車宣龍副社長表示：“通過此次設備引進，SK海力士為實現公司未來技術發展願景奠定了核心基礎設施。公司將以最先進技術，為快速增長的AI和新一代計算市場開發所需高端存儲器，引領面向AI的存儲器市場。”

ASML的高數值孔徑EUV光刻機

在半導體制造行業，傳統的DUV（深紫外）光刻機可以用於製造7nm及以上製程的芯片。EUV（極紫外）光刻機則主要服務於7nm 以下製程芯片。

ASML第一代 EUV光刻技術 TWINSCAN NXE:3600D/3400C，都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學器件，用來曝光300 mm晶圓，最大曝光場尺寸為 26 mm x 33 mm，可提供13 nm分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸可用於7nm、5nm 和3nm批量生產。但3nm以下節點已經不夠用了。

隨後ASML開發出了第一代高數值孔徑EUV光刻機 ——TWINSCAN EXE:5000系列，該系列機器具有0.55 NA（高 NA）的透鏡，分辨率達8nm，分辨率將使芯片製造商能夠使用比使用 TWINSCAN NXE EUV 系統小 1.7 倍的單次曝光進行打印，實現高2.9倍的晶體管密度。從而在3 nm及以上節點中儘可能的避免雙重或是多重曝光。

相比初代EXE:5000，最新一代High-NA光刻機EXE:5200B，旨在支持2nm以下邏輯節點和前沿DRAM 節點的批量生產。根據官方信息，TWINSCAN EXE:5200B是第二款高數值孔徑(High-NA) 光刻機，也是TWINSCAN EXE:5000的後續產品。

EXE:5200B 的成像對比度比NXE系統高出40%，分辨率高達8nm，使芯片製造商能夠通過單次曝光打印尺寸縮小1.7倍的元件，從而實現比TWINSCAN NXE系統高出2.9倍的晶體管密度。這有助於降低大批量生產中的工藝複雜性，從而提高客户晶圓廠的晶圓產量。

在今年第二季度的財報中，ASML特別提到，本季度已交付首台TWINSCAN EXE:5200B 系統，不過官方並未透露具體的買家。

SK海力士連續第二個季度位列DRAM市場第一

根據相關統計，AI驅動以HBM3E和高容量DDR5為代表的高價值DRAM需求持續增長，以及二季度存儲原廠EOL通知刺激傳統DDR4/LPDDR4X價格與需求快速攀升的雙重驅動下，2025年二季度全球DRAM市場規模環比增長20%至321.01億美元，創歷史季度新高。

與此同時，SK海力士繼續刷新自己在DRAM市場的優勢，在2025年二季度以38.2%的市場份額再度蟬聯第一，並擴大了與三星的差距。SK海力士二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額為38.2%，連續第二個季度位列DRAM市場第一。

而排在第二位的三星，二季度DRAM銷售收入達107.58億美元，環比增長13%，市場份額為33.5%。

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