三星被曝計劃在西安升級286層NAND閃存

2月12日，據BusinessKorea報道，三星電子正計劃將其在西安的工廠升級至286層（V9）NAND閃存工藝，以應對低迷的市場以及來自中國半導體公司的日益激烈的競爭。

該報道提到，三星自2023年以來一直在推動其西安工廠的主力128層（V6）NAND工藝向236層（V8）工藝線過渡。然而，三星決定更進一步，安裝V9工藝線。三星計劃在上半年引入該工藝所需的新設備，併力爭在下半年建成一條月產能為2000至5000片晶圓的生產線。

此次轉型是三星為保持其技術領先地位並確保長期產品競爭力而採取的更廣泛戰略的一部分，以應對當前市場低迷的局面，並應對來自像長江存儲（YMTC）這樣的中國半導體公司的日益激烈的競爭，後者最近已開始大規模生產294層NAND閃存。

NAND閃存主要用於固態硬盤（SSD）等領域，層數越多，單位空間存儲密度就越大，總存儲容量越容易提升。不過，層數並不是決定閃存性能的唯一指標。

三星西安工廠是三星唯一的海外存儲芯片生產基地，對三星的全球供應鏈至關重要，其生產的NAND芯片約佔公司總產量的40%，升級至286層NAND工藝預計能擴大該工廠的生產能力。

拜登政府於2023年授予三星“經核實最終用户（VEU）”地位使三星能夠在中國生產超過200層的NAND閃存，讓三星得以在地緣政治緊張局勢下繼續在中國進行先進製造。

三星西安工廠三星電子

2022年10月，美國商務部發布出口管制措施，要求向中國出口用於生產18納米以下DRAM內存的生產設備、128層以上NAND閃存生產設備以及14納米以下邏輯芯片的設備和技術時，必須獲得“推定拒絕”美國政府的許可。2024年12月，美國商務部再次加強了對中國半導體產業的出口管制，將140家中國實體列入實體清單，此前的對象包括長江存儲。

三星已宣佈，其半導體研究所完成突破性的400層NAND（V10）技術開發，並一直在努力將400層（V10）NAND應用於平澤工廠1號（P1）的量產線，初步量產有望在今年下半年實現。三星上個月公佈了去年第四季度的業績，並表示：“我們計劃加快向236層和286層NAND的轉型，以確保長期的產品競爭力。”

三星也在準備與SK海力士競爭，後者已宣佈量產321層NAND閃存。

據BusinessKorea報道，儘管取得了這些進展，三星預計今年第一季度每月生產42萬片NAND芯片，較上一季度減少25%。這一減產反映了當前移動和PC市場需求的下滑，這受到諸如價格上漲和利率上升等經濟因素的影響。然而，來自人工智能數據中心等領域的不斷增長的需求，促使三星等公司專注於高性能、大容量NAND芯片的生產。

值得注意的是，1月，三星因為預期價格暴跌，為了保護盈利能力而決定減少主要為西安廠的NAND閃存產量，西安工廠的晶圓產量預計將由平均每月20萬片晶圓減少至17萬片。與此同時，SK海力士則信心蓬勃，計劃逐年1增加NAND產量。

據金融時報報道，2024年第四季度，SK海力士的季度利潤首次超過了競爭對手三星。

早在2023年初，三星也曾因市場環境惡化削減NAND閃存的產量。其中西安一廠在2022年第四季度的產量為每月12.5萬塊12英寸晶圓，減至2023年第一季度的11萬塊，減少了約12%，而西安二廠則從每月14.5萬塊減少至13.5萬塊，減少了約7%。

不過，全球NAND閃存市場仍然由三星與海力士主導。2024年第三季度全球NAND閃存市場銷售收入前五名中，三星收入達62.6億美元（約合人民幣457億元），佔據了32.9%的市場份額；SK海力士收入達36.41億美元（約合人民幣263億元），市場份額為19.1%；剩下三名分別是鎧俠（17.0%）收入32.35億美元（約合人民幣236億元）、美光（12.4%）收入23.65億美元（約合人民幣173億元）、西部數據（9.9%）收入18.84億美元（約合人民幣137億元）。

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