宏微科技與華虹宏力深化合作 共促功率半導體國產升級

近日，江蘇宏微科技（688711.SH）與上海華虹宏力半導體制造有限公司簽署了為期五年的《戰略合作諒解備忘錄》，明確在IGBT、FRD等核心功率半導體產品領域深化合作。此次合作升級，有助於進一步夯實我國功率半導體產業鏈的自主可控能力，推動國內製造水平提升，增強產業競爭力。

作為國內功率半導體行業的領軍企業，宏微科技長期致力於IGBT、FRD等功率芯片的研發和產業化，在新能源汽車、工業控制、新能源發電等領域積累了豐富經驗。華虹宏力作為國內晶圓代工龍頭企業，近年來不斷推進12英寸晶圓產線升級，為產業鏈整體制造水平的提升注入了強勁動力。

據悉，12英寸晶圓的規模化生產目前已成為半導體行業技術發展的重要方向。相關數據顯示，2023年至2027年，中國大陸12英寸晶圓產能的年複合增長率（CAGR）預計達19.6%，全球先進製程產能市場份額將從2023年的31%提升至2027年的39%。這一趨勢將進一步提升國內功率半導體企業的製造能力，優化供應鏈結構，增強產業鏈自主可控水平。

作為華虹宏力1700V IGBT平台及RC IGBT平台的首批合作伙伴，宏微科技率先引入H注入工藝並實現量產，併成為首批採用1.6pitch工藝製造12英寸晶圓的企業，成功實現批量出貨。隨着12英寸晶圓平台的逐步成熟，宏微科技預計將持續推進高端功率半導體制造領域工藝優化，進一步鞏固其產品競爭優勢。

未來，宏微科技與華虹宏力將秉持協同創新、聯合攻關的理念，共同成立聯合研發項目組，專注於新工藝平台的開發和優化，開展更高性能、更高可靠性的功率半導體產品研發，攜手推進功率半導體產業鏈的自主可控和國產化升級。