歷史一幕！長江存儲向三星授權關鍵技術專利
（文/觀察者網 呂棟 編輯/張廣凱）
“長江存儲實現了對三星的技術專利許可，這對於一直在堅持自主研發的中國科技企業而言，無疑是又一次重大鼓舞。”行業媒體如此評價稱。
2月24日，韓國媒體ZDNet Korea獨家報道稱，三星電子近日與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了專利許可協議，將從後者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術。
三星電子作為存儲芯片行業的領頭羊，從中國企業獲得專利授權比較罕見。這家韓媒直言，由於工藝流程問題，三星難以規避中國企業的專利，獲取授權是必然，未來的競爭可能會非常激烈。
觀察者網就該報道聯繫長江存儲方面，對方暫未置評。
從韓媒報道來看，三星此次獲取長江存儲專利授權，將主要用於下一代（V10）閃存芯片開發上，這代芯片計劃於今年下半年量產，堆疊層數將達到420層-430層。為了讓V10芯片儘快量產，三星引入了多項新技術，晶圓和晶圓之間的混合鍵合“至關重要”。
長江存儲128層NAND閃存
三星之所以這麼看重這項技術，是因為“混合鍵合”技術省去了傳統芯片連接所需的凸塊，縮短了電路，並提高了存儲性能和散熱特性，“特別是晶圓之間的混合鍵合，它鍵合的是整個晶圓而不是芯片，在提高生產效率方面也具有優勢”。
與三星相比，長江存儲是一個後起之秀，2016年成立於武漢，至今不到10年。彼時，存儲芯片行業已經是成熟市場，三星、SK海力士、美光等巨頭佔據了大部分市場份額。對於後來者而言，要想長久發展，首要目標並不是快速搶市場，而是要確保技術專利的合規。
如果技術專利上出了問題，甚至被行業巨頭找上麻煩，將影響企業的長期發展，甚至危及生存，福建晉華和美光的專利侵權糾紛就是一個典型例子，一度導致福建晉華的運營停擺。
也正是提前考慮了這一點，長江存儲在成立之初獲得國家大基金投資的同時，國家也對長江存儲所從事的3D NAND技術研發生產，進行了全面專利預警工作。
2016年，由國家知識產權局專利分析和預警領導小組辦公室組織，專利審查協作湖北中心骨幹力量承擔的專題《三維NAND型存儲器關鍵技術專利分析和預警》啓動，報告詳細分析了三維NAND型存儲器的關鍵技術、全球專利佈局情況以及主要企業的競爭態勢，建議國內企業建立風險預警機制，對海外存儲寡頭和國外研究機構的高風險專利保持警覺，報告全文共七章、332頁、19萬字。
2017年8月，武漢東湖高新區管委會召開三維NAND存儲器產業知識產權項目報告會暨存儲器產業專利導航預研會，政府機構和長江存儲等相關負責人蔘加，要求認真做好專利預警和專利佈局等專利導航工作。
根據長江存儲官網介紹，2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計製造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創新Xtacking® 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月，長江存儲宣佈第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發佈之時業界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
長江存儲自研Xtacking技術
觀察者網當時（2020年4月）還報道過，長江存儲跳過96層，成功研發基於Xtacking 2.0的128層QLC3D NAND閃存，短短3年實現從32層到64層再到128層的跨越。
從這次韓媒的報道看，在那個時期，長江存儲就已經在積極應用3D NAND混合鍵合技術，並將其命名為“Xtacking”。該公司還在業務初期通過許可協議，從美國科技公司Xperi獲得了與混合鍵合相關的原始專利，長期積累了大量與NAND鍵合相關的自有專利。
隨着閃存芯片堆疊層數進入400層，如何保證芯片的性能可靠和生產效率成為難題，三星等存儲巨頭在生產製造中，似乎也不得不使用混合鍵合技術，也就避不開長江存儲的專利。
韓媒援引知情人士稱，Xperi、長江存儲和台積電這三家公司，實際上擁有了與混合鍵合相關的大部分技術專利，三星電子也是在判斷其在V10、V11和V12等未來代際的NAND芯片開發中，幾乎不可能避開長江存儲的專利的情況下，簽訂了許可協議。
調研機構TechInsights的崔正東分析稱：“從V10開始，三星電子開始採用三重堆疊技術，將電路分為三層，並使用混合鍵合技術，總共使用兩個晶圓。由於存在許多變化，例如工藝轉換和新設施投資，因此與長期採用混合鍵合的長江存儲相比，製造成本必然會高得多。”
三星電子開發的V9代閃存芯片
存在類似情況的還有SK海力士，它跟三星兩家佔據了全球50%以上的閃存市場份額。這家韓國巨頭計劃在今年底量產400層NAND閃存，並在明年上半年大規模生產，該公司高管明確提到，將在400層NAND產品中使用混合鍵合技術，來提高成本效率和量產。
在韓媒看來，長江存儲通過在混合鍵合領域的長期積累，技術已經領先，該公司近期使用“Xtacking 4.x”版本實現270層高密度NAND的商業化（SK海力士去年底量產“全球最高”321層NAND閃存）。
“長江存儲的2yy NAND芯片（預計270層），是我們在市場上發現的密度最高的NAND，更重要的是，它是業內第一個實現超過20Gb/mm2位密度的NAND。”TechInsights在報告中寫道。
截至目前，長江存儲專利申請數量超過1萬件。正如前文所言，對於長江存儲、長鑫存儲這種新興之秀而言，積累專利不僅是為了推進技術，更為了在專利戰中進行防禦。
2023年11月8日，長江存儲以八件專利起訴美光之後，又在2024年7月追加了11件專利的起訴，兩案併案處理。有專利媒體撰文稱，長江存儲敢於在美國主動起訴美光，開創了中國企業的先河，也顯示出對於自主技術的自信。截至目前，可檢索到的美光已經對長江存儲的20件專利，發起了22次的無效挑戰IPR（多方複審）。不難看出，這種密度的糾紛，也開創了中國企業和美國企業在專利戰場上較量的一個新紀錄。
對於中國科技創新而言，長江存儲十年磨一劍的技術突破無疑令人振奮。在核心技術逐步追上甚至領先行業巨頭之後，如何提升產能也成為長江存儲的關鍵問題，這對能否改寫行業格局也至關重要。
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