事關芯片！我國成功開發這一新技術

據微信公眾號“西湖儀器”消息，近日，由該校孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司成功開發出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。

與傳統的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙、更高的熔點、更高的電子遷移率以及更高的熱導率，能夠在高温、高電壓條件下穩定工作，已成為新能源和半導體產業升級的關鍵材料，推動電動汽車、光伏發電、智能電網、無線通信等領域的技術革命。

但襯底材料成本佔據整體成本的比例依然居高不下，嚴重阻礙了碳化硅器件大規模的產業化推廣。降本增效的重要途徑之一是製造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用於芯片製造的面積，在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本。

2024年12月，國內碳化硅頭部企業已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，在引領國際發展趨勢的同時，也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。與之相應，西湖儀器以最快速度推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題。

“該技術實現了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化。”西湖大學工學院講席教授仇旻介紹，與傳統切割技術相比，激光剝離過程無材料損耗，原料損耗大幅下降。新技術可大幅縮短襯底出片時間，適用於未來超大尺寸碳化硅襯底的規模化量產，進一步促進行業降本增效。

（綜合自西湖儀器、科技日報等）

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