中國取得EUV技術重要突破，阿斯麥CEO還在“嘴硬”？

【文/觀察者網 熊超然】美西方越是打壓封鎖，越會倒逼中國加快自主創新步伐。這一點，早已一次又一次應驗，如今也有望出現在半導體的極紫外光刻機（EUV）領域。

據《中國激光》雜誌今年第6期（2025年3月下）所刊登的一篇研究論文稱，中國研究人員已經建立了一個運行參數具有國際競爭力的EUV光源實驗平台，這對於我國自主開展EUV光刻及其關鍵器件與技術的研發工作具有重要意義。香港《南華早報》4月29日對此報道時則認為，中方這一研究成果“突破了自主生產先進芯片的障礙”。

報道稱，該研究團隊來自中國科學院上海光學精密機械研究所，由該研究所研究員林楠領導，他曾是荷蘭光刻機巨頭阿斯麥公司（ASML）在光源技術方面的負責人。

論文指出，雖然阿斯麥採用的二氧化碳激光驅動技術優點顯著，但林楠團隊近期研究發現，固體激光驅動技術歷經近十年發展也有許多優勢提升，並可能對我國自主開展EUV光刻及其關鍵器件與技術的研發具有重要意義。

在所建立的激光驅動等離子體極紫外（LPP-EUV）光源實驗平台上，中方團隊破局高轉換效率，所得結果處於國際靠前、國內領先水平。科研人員還估計，該光源實驗平台的理論最大轉換效率可能接近6%，他們正計劃增加進一步的研究，以優化理論和實驗結果。

《南華早報》特別提到，這一研究成果公開後不久，就在本月早些時候的一次發言中，阿斯麥CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）仍然還這樣聲稱：“（中國）總有可能製造出一些EUV光源，但中國要製造出一台EUV光刻機，還需要很多很多年的時間（take many，many years）。”

該成果以“1 μm激光激發固體Sn靶等離子體EUV輻射特性實驗研究”為題發表在《中國激光》第6期，被選為封面文章。 《中國激光》

據介紹，林楠曾任荷蘭阿斯麥公司研發科學家、研發部光源技術負責人，在加入阿斯麥之前，他師從2023年諾貝爾物理學獎得主、瑞典皇家科學院院士安妮·呂利耶（Anne L’Huillier），並獲得了“歐盟瑪麗·居里學者計劃”的資金資助。

2021年，林楠作為國家海外高層次人才回國，現任中國科學院上海光學精密機械研究所研究員、博導，超強激光科學與技術全國重點實驗室副主任等職，並創立了一個先進光刻技術研究小組，該小組負責這篇論文中的研究工作。

今年3月，在觀察者網評選的29位2024年度科創人物中，林楠也榜上有名。觀察者網《好評》欄目這樣介紹獲評“年度求索者”的林楠：

掌握新型極紫外光源技術，是我國半導體產業界根本性破解“卡脖子”難題的必由之路，以林楠為代表的中國科研工作者，在該領域正不斷積累突破勢能。

林楠長期從事集成電路製造光刻光源以及芯片量檢測光源研發與工程應用研究，擁有十餘年大規模集成電路製造與測量設備科研、工程項目研發和管理經驗，截止目前申請/授權美、日、韓等國國際專利110餘項。2021年，林楠全職回國進入中國科學院，瞄準國家需求，迅速建成極紫外光源研發平台。

中國科學院上海光學精密機械研究所研究員林楠 《中國激光》

林楠團隊的這篇論文稱，他們成功開發出LPP-EUV光源，這是光刻機的核心部件，可能將成為中國半導體行業的一個重大突破。

“（林楠團隊）所建立的LPP-EUV光源實驗平台和藉助此平台開展的激光等離子體產生極紫外新機制研究結果為固體激光驅動LPP-EUV光刻光源的國產化研發提供了技術支撐，對於我國自主開展EUV光刻及其關鍵器件與技術的研發工作具有重要意義。”論文寫道。

論文指出，林楠團隊建立的實驗平台基於固體激光器技術，這與阿斯麥工業光刻設備採用的二氧化碳激光驅動技術不同，後者通過該技術產生的光源將電路圖案轉移到硅片等基材上。

固體激光驅動等離子體極紫外光源實驗平台 《中國激光》

EUV光刻機中最核心的分系統是激光等離子體（LPP）EUV光源，其研發的主要挑戰之一是提高能量轉換效率（CE）。二氧化碳激光器由於可同時實現高功率、高重頻和窄脈寬激光輸出，且其激發的Sn等離子體具有較高CE（>5%），被選定為商業LPP-EUV光刻光源的驅動光源。

但林楠團隊指出，近期研究表明，1 μm固體激光激發Sn等離子體的CE有可能滿足EUV光刻光源的工程化指標。此外，固體脈衝激光器經過近十年的快速發展已實現千瓦級功率輸出，並在未來有望達到萬瓦級，又由於其體積緊湊、電光轉換效率高（~20%），有望替代二氧化碳激光成為新一代LPP-EUV光刻光源的驅動光源。基於此，發展固體激光驅動的LPP-EUV光源對我國自主開展EUV光刻及其關鍵器件與技術的研發具有重要意義。

在和國際上各團隊與公司對1 μm固體激光驅動等離子體EUV光源CE的實驗結果作對比後發現，林楠團隊研究中所獲得的CE最大值3.42%，已處於國際靠前水平，並超過商業化二氧化銅激光驅動EUV光刻光源CE值的一半。

“本文建立了固體激光驅動等離子體EUV光源實驗平台，開展了1 μm固體激光激發Sn等離子體EUV輻射特性實驗研究，（CE最大值3.42%）處於國際靠前、國內領先水平。”論文寫道。

這篇論文還提到，目前商用二氧化碳激光驅動的EUV光源轉換效率約為5.5%，該團隊使用1 μm固體激光實現3.42%的最大轉換效率，超過了荷蘭納米光刻高級研究中心（ARCNL）在2019年記錄的3.2%和瑞士蘇黎世聯邦理工學院在2021年記錄的1.8%；但落後於美國中佛羅里達大學在2007年達到的4.9%，以及日本宇都宮大學在去年創下的4.7%的轉換效率。

林楠團隊研究人員估計，其所建光源實驗平台的理論最大轉換效率可能接近6%。他們在論文中表示，正計劃增加進一步的研究，以優化理論和實驗結果。

國際上各團隊和公司實現的1 μm固體激光驅動等離子體EUV光源轉換效率對比 《中國激光》

值得注意的是，林楠團隊在這篇論文中提及研究背景時指出，隨着芯片製造的不斷發展，EUV光刻機已成為高端芯片大規模量產和工業化不可或缺的設備，目前僅有荷蘭阿斯麥公司能夠製造，但對中國禁售。

《南華早報》也指出，自2019年以來，由於來自美國的不斷施壓，全球唯一的EUV設備製造商阿斯麥已收緊了對華半導體出口規則，尤其是在對華銷售最先進型號的光刻機設備方面。

在本月的一次投資者電話會議上，阿斯麥CEO富凱曾聲稱，中國確實有可能製造出EUV光源，但要造出完整的EUV光刻機，還需要很多很多年時間。

阿斯麥CEO富凱 《經濟學人》資料圖

今年3月5日，阿斯麥發佈2024年度報告。《南華早報》注意到，報告顯示，儘管面臨美國不斷施壓，這家荷蘭企業仍計劃於2025年在中國首都北京建立一個“新的回收與維修中心”。台媒《經濟日報》分析稱，美國一直阻止阿斯麥向中國出售最新設備，阿斯麥或考慮通過擴大維修業務以穩固中國市場。

根據最新年報內容顯示，2024年，阿斯麥實現淨銷售額282.63億歐元，同比增長2.55%，創下歷史新高。淨利潤為75.71億歐元，較2023年降低了3.4%。去年，中國大陸首次取代中國台灣，成為阿斯麥第一大市場，銷售額達到101.95億歐元，佔其全球總營收的約36.1%。

針對美國脅迫荷蘭對華進行科技封鎖的相關情況，中國外交部發言人此前曾回應稱，中方一貫反對美國泛化國家安全概念，以各種藉口脅迫其他國家搞對華科技封鎖。半導體是高度全球化的產業，在各國經濟深度融合的背景下，美方有關霸道、霸凌行徑嚴重違背國際貿易規則，嚴重破壞全球半導體產業格局，嚴重衝擊國際產業鏈供應鏈的安全和穩定，必將自食其果。

中方敦促荷方，秉持客觀公正立場和市場原則，尊重契約精神，以實際行動維護中荷兩國和雙方企業的共同利益，維護國際產業鏈供應鏈的穩定和自由、開放、公正、非歧視的國際貿易環境。中方將密切關注有關動向，堅決維護自身合法權益。

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