三星、美光等存儲巨頭，擬集體減產提價

韓國《朝鮮日報》11月12日報道，包括三星電子、SK海力士、鎧俠和美光在內的全球NAND閃存廠商，正於今年下半年同步縮減NAND閃存供應。

分析指出，供應調整的目的是推動價格上漲。此外，由於這些廠商正將生產設施向四級單元（Quad-Level Cell，QLC）工藝轉型，生產損耗將不可避免，而QLC工藝的需求正因人工智能數據中心而大幅激增。

與此同時，三星電子、SK海力士和鎧俠正推動NAND閃存價格回升，在去年全年NAND閃存價格一直處於“成本線水平”。

有消息稱，三星電子內部正考慮將價格上調20%至30%以上，同時正與海外主要客户商議明年的NAND閃存供應量。

12日，《朝鮮日報》商業版獲取了諮詢公司Omdia的年度NAND閃存生產數據。數據顯示，三星電子已將今年的NAND晶圓生產目標下調至472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將產量從去年的480萬片降至今年的469萬片。Omdia認為，三星電子和鎧俠的減產趨勢預計將持續至明年。

SK海力士和美光同樣在保守地限制生產規模，期望藉助價格上漲獲利。

SK海力士的NAND閃存產量從去年的201萬片降至今年的180萬片，降幅約10%。美光的情況與此類似。目前，美光正通過將其新加坡最大NAND閃存生產基地地產量維持在30萬片出頭的較低水平，來執行保守的供應策略。

隨着主要供應商同步調整產量，NAND閃存產品的平均售價正大幅上漲。

海外市場研究機構指出，僅上一季度就上漲15%的NAND閃存價格，未來可能飆升40%到50%以上。

據集邦諮詢（TrendForce）數據，目前市場應用最廣泛的512Gb三級單元（Triple-Level Cell，TLC）NAND芯片現貨價格，較前一週上漲14.2%，達到5.51美元。現貨價格指分銷市場中即時交易的價格，其上漲意味着該產品的獲取難度已有所增加。

TLC架構NAND閃存的供應短缺，也表明主要NAND閃存供應商正將重心從TLC轉向利潤率更高的QLC。QLC與TLC的區別在於NAND閃存基本單元（單個存儲單元）可存儲的比特數。TLC單個單元可存儲3比特數據，而QLC單個單元可存儲 4 比特數據。由於在相同面積下，QLC能比TLC多提供30%的存儲容量，因此對於製造AI數據中心所需的大容量固態硬盤而言，QLC具有顯著優勢。

半導體行業的一位消息人士解釋道：“由於要向 AI 數據中心 SSD 所需的 QLC 工藝轉型，部分基於 TLC 的 NAND 閃存生產線會暫停，這使得四大廠商都出現了自然的減產效應。” 該人士還表示：“在設施和工藝轉型期間出現‘生產損耗’，進而導致市場價格大幅上漲，這是行業內的常見情況。”

與此同時，長期受供應過剩困擾的三星電子和SK海力士，也正趁着NAND閃存價格上漲的跡象，採取行動實現利潤最大化。

此前有消息稱，美國閃迪公司已從本月起，將NAND閃存產品的合約價格最高上調了約50%。

另有分析認為，由於擔心NAND閃存價格大幅上漲，北美主要科技巨頭正紛紛加緊備貨，因此明年的NAND閃存供應量可能已售罄。

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