SK海力士HBM4測試良率突破70%，量產進入倒計時

【環球網科技綜合報道】2月27日消息，據韓媒ETNews報道，SK海力士第六代12層堆疊高帶寬內存（HBM4）的測試良率已成功突破70%，標誌着該產品已具備量產的堅實基礎，並在激烈的市場競爭中佔據有利位置。

據悉，SK海力士的12層堆疊HBM4在2024年年底的良率已達到60%，而此次最新消息顯示，其測試良率已進一步提升至70%，展現了SK海力士在半導體技術研發和生產方面的強勁實力。

SK海力士HBM4的進展迅速，得益於其第五代10nm級DRAM（1b）的成功應用。該技術在性能和穩定性方面已經過充分驗證，併成功應用於SK海力士的HBM3e產品中。鑑於HBM3E曾實現80%的高目標良率，並大幅縮短了50%的量產時間，業內人士普遍預測，HBM4的12層堆疊產品也將迅速進入量產階段。

目前，SK海力士已完成HBM4的內部技術開發和評估工作，即將提供樣品供客户進行性能測試。一旦測試通過，SK海力士將立即啓動量產計劃，以滿足市場對高性能內存產品的迫切需求。

值得一提的是，12層堆疊HBM4有望被部署在英偉達下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。此前有消息稱，英偉達計劃提前至2025年下半年量產“Grace Hopper”系列，這將進一步促使SK海力士加快提升HBM4的良率和量產進程，以確保產品能夠按時交付並滿足英偉達等客户的需求。（純鈞）