每秒存取25億次，史上最快！我國成功研製

復旦大學在集成電路領域獲關鍵突破！由該校周鵬/劉春森團隊研製的“破曉”皮秒閃存器件，*擦寫速度快至400皮秒，相當於每秒可執行25億次操作，是人類目前掌握的最快半導體電荷存儲器件。*北京時間4月16日，相關研究成果發表於國際期刊《自然》。

電荷存儲器是信息技術蓬勃發展的根基。個人電腦中的“內存”和“硬盤”，是電荷存儲器的兩種典型代表。然而，斷電後，“內存”——靜態隨機存儲器“SRAM”和動態隨機存儲器“DRAM”，存儲的數據會丟失，*這種“易失性”特性限制了其在低功耗條件下的應用。*相比之下，“硬盤”——以閃存為代表的非易失性存儲器，在斷電後不會丟失數據，但由於其電場輔助編程速度遠低於晶體管開關速度，它難以滿足需要對大量數據極高速存取的場合，例如AI計算等場景。

因此，針對當下AI計算所需的算力與能效要求，存儲技術亟須突破，而破局點在於解決集成電路領域最為關鍵的基礎科學問題：超越信息的非易失存取速度極限，也就是斷電不丟失，存取還要快。

通過突破基礎理論的瓶頸，研究團隊發現一種電荷存儲的“超注入”機制。據此，研究團隊重新定義了現有的存儲技術邊界，*併成功研製“破曉”皮秒閃存器件，其性能超越同技術節點下世界最快的易失性存儲SRAM技術。*劉春森透露，目前相關產品正在嘗試小規模量產。

◎ 馮妍 科技日報記者 王春

供圖：復旦大學