25億次、快100萬倍，“破曉”！打破現有存儲技術框架理論瓶頸

央視網消息： 復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、芯片與系統前沿技術研究院科研團隊日前發佈一項半導體電荷存儲技術，每秒可執行25億次操作，這是迄今為止全球最快的半導體電荷存儲技術。這一成果已在國際知名學術期刊《自然》發表。

復旦大學科研團隊將這個存儲器命名為“破曉”，只有1平方釐米大小，外觀和普通存儲器別無二致。然而它通過創新的物理機制，將存儲器擦寫速度提升到400皮秒實現一次擦或者寫，一皮秒只相當於一萬億分之一秒。“破曉”這個速度相當於每秒可執行25億次操作，比傳統閃存快100萬倍。

復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森介紹，這一速度的提升是極具突破性的，完全打破了現有的存儲技術框架的一個理論瓶頸。

據介紹，團隊科研人員提出了全新的提速思路，這一創新不僅實現了速度上的巨大突破，而且這種新型存儲器在掉電的情況下，數據也不會丟失。

商業應用後 有望助推人工智能計算發展

科研團隊主要負責人介紹，這一全新成果距離轉化為商業應用並不遙遠。目前，團隊已經與生產廠家合作進行了流片驗證。未來，這一技術有望在人工智能計算等方面發揮巨大作用。

專家介紹，人工智能大模型的計算主要依賴GPU顯卡芯片。目前，主流的商用GPU芯片已經可以實現每秒33.5萬億次浮點運算，然而與之配套的存儲器的寫入或者擦除一次的速度卻仍停留在微秒級別。

復旦大學“破曉”存儲器的能力正好可以應對GPU芯片高速運算的需求。為了能讓這一突破性的技術早日實現成果轉化，復旦大學科研團隊在研發的過程中就與生產企業深度合作。據瞭解，目前，已經進行了流片驗證，並取得初步成果。

劉春森介紹，目前，已經能夠實現一個小規模全功能的芯片流片，下一步可以開始把它嘗試集成到現有的手機和電腦。這樣，手機和電腦在部署本地模型的時候，再也不會遇到卡頓、發熱等現有的存儲技術帶來的一些瓶頸問題。