消息稱三星加速1c DRAM工藝量產LPDDR6內存 計劃下半年供貨高通

【環球網科技綜合報道】6月7日消息，據外媒報道，三星電子設備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉宣佈，三星將於今年下半年通過第六代“1c DRAM”工藝量產下一代LPDDR6內存，並計劃向高通等科技巨頭供貨。

外媒報道稱，中國長鑫存儲科技股份有限公司（CXMT）已完成LPDDR5X內存的開發階段，正積極嘗試縮小與三星之間的技術差距。業內觀察人士推測，按照目前的速度，這家中國製造商最早可能在2026年就實現全面量產。三星因此不甘落後，加快了自主研發LPDDR6內存技術的步伐。

據悉，1c DRAM是DRAM製造的第六代工藝節點，相比前代技術，其晶體管密度更高、能效比更優。三星通過“設計變更”戰略，將1c DRAM的冷態良率提升至50%，熱態良率達60%-70%，並計劃在韓國華城工廠建設新生產線，擴大產能。LPDDR6內存基於1c工藝開發，帶寬和功耗表現顯著提升，可滿足AI模型訓練、移動終端算力升級等場景對內存性能的嚴苛需求。

據行業消息，高通下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發支持LPDDR6內存，並計劃於今年9月23日的驍龍峯會上亮相。

隨着AI應用向終端設備下沉，LPDDR6內存的帶寬與能效成為關鍵競爭力。三星計劃通過向高通等廠商供貨，進一步滲透智能手機、筆記本電腦及AI服務器市場，強化其技術壁壘。此外，三星還在HBM4等高端存儲產品中部署1c DRAM技術，構建覆蓋AI全場景的內存解決方案。

目前，三星已制定1c DRAM擴產計劃，預計最早於今年年底完成韓國華城工廠生產線建設。此外，該公司正同步開發DDR與LPDDR用1c DRAM，打破傳統開發順序，加速商業化進程。（青山）