ARM首席執行官哈斯：英特爾錯失關鍵機遇，追趕台積電難度陡增

【環球網科技綜合報道】10月6日消息，ARM首席執行官雷內·哈斯（Rene Haas）在做客知名科技播客節目《All In Podcast》時，就英特爾與台積電的競爭態勢發表了深度評論。他直言，英特爾因在移動芯片和極紫外光刻（EUV）技術兩大關鍵領域的戰略失誤，已陷入“被時間懲罰”的困境，如今想要追趕台積電的領先地位“極其困難”。

哈斯特別提到，英特爾在21世紀中期錯失了為蘋果iPhone提供低功耗移動芯片的黃金機會。當時，英特爾憑藉“Atom”低功耗SoC系列試圖切入移動市場，但該系列芯片因性能和功耗平衡不足，未能滿足蘋果對產品能效的嚴苛要求。前英特爾首席執行官保羅·歐德寧（Paul Otellini）曾公開承認，拒絕為iPhone提供芯片是公司“犯下的最大錯誤之一”。這一失誤直接導致英特爾在移動芯片市場全面潰敗，而台積電則憑藉為蘋果代工A系列處理器迅速崛起，成為全球移動芯片製造的標杆。

哈斯進一步指出，英特爾在極紫外光刻（EUV）技術的採用上“延遲了近十年”，這一戰略失誤使其在先進製程競賽中徹底落後。台積電自2015年起便投入EUV技術佈局，而英特爾直到2021年才在Intel 4製程中引入該技術，導致其7nm製程量產時間比台積電的5nm晚了近兩年。

“EUV是製造地球上最小芯片的先進方法，英特爾可能因決策遲緩錯失了整整一代技術的紅利。”哈斯強調。目前，台積電已憑藉EUV技術實現3nm製程量產，並計劃在2026年量產2nm工藝，而英特爾的Intel 18A（相當於1.8nm）製程雖引入背面供電網絡等創新技術，但良率提升和客户信任度仍是其面臨的核心挑戰。（青山）