三星電子斥資1.1萬億韓元引進High-NA EUV光刻機

【環球網科技綜合報道】10月16日消息，據KED Global報道，三星電子宣佈一項重大投資計劃，將投入約1.1萬億韓元引進兩台最新的High-NA雙級極紫外（EUV）光刻機，此舉標誌着該企業在下一代半導體芯片量產領域邁出關鍵一步。

據業內人士披露，三星電子此前僅在京畿道園區部署過一台High-NA EUV設備，且主要用於研發環節。此次引進的兩台設備則聚焦“產品量產”，是該企業首次將此類先進設備應用於量產場景。按照規劃，三星電子將於今年內完成第一台設備的引進工作，明年上半年再引進第二台，逐步完善量產設備佈局。

此次三星計劃引進的設備為Twin Scan EXE:5200B，該設備屬於0.55數值孔徑（NA）的High-NA極紫外光刻系統，是TWINSCAN EXE:5000的升級版本。在技術性能上，它不僅進一步提升了對準精度，還大幅提高生產效率，被行業公認為生產下一代半導體芯片與高性能DRAM的核心必備設備。

與此前的NXE系統相比，Twin Scan EXE:5200B優勢顯著。其成像對比度提升40%，分辨率可達8納米，能讓芯片製造商通過單次曝光實現比TWINSCAN NXE系統精細1.7倍的電路刻蝕。這一技術突破可將晶體管密度提升至原來的2.9倍，在降低大規模生產工藝複雜性的同時，有效提高客户晶圓廠的晶圓產量，為半導體產業技術升級提供有力支撐。（純鈞）