中國獲獎的EUV技術突破如何繞過美國芯片禁令 | 南華早報

中國科學家正在開創極紫外光刻（EUV）技術研發的新路徑，為先進半導體芯片的大規模生產鋪平道路，以應對美國嚴格制裁的挑戰。其中，哈爾濱工業大學的某項目在12月30日舉辦的全省高校科研院所職工創新成果轉化大賽中榮獲一等獎。

該研究團隊採用了與西方技術完全不同的方法產生極紫外激光。

據該校官網介紹，由航天學院趙永鵬教授主導的"放電等離子體極紫外光刻光源"項目具有"能量轉換效率高、成本低、體積小、技術難度相對較低"的優勢。

官方報告稱：“該項目可產生中心波長為13.5納米的極紫外光，滿足光刻市場對EUV光源的迫切需求。”

在半導體行業中，光刻機是最複雜且最難製造的設備。