中國頂尖存儲芯片製造商長江存儲再獲設計突破，突破美國製裁 | 南華早報
Che Pan
據TechInsights報告顯示，中國領先的閃存芯片製造商長江存儲科技（YMTC）在美國製裁背景下仍取得重大技術突破，這正值中國政府推動科技自主之際。
加拿大集成電路研究機構TechInsights最新報告指出，YMTC已在其最高密度的3D NAND芯片中應用了新型Xtacking4.0存儲芯片設計，該技術被發現應用於致鈦TiPro9000商用固態存儲設備。
該芯片採用雙層結構——下層150層存儲單元與上層144層存儲單元，合計達294層。其創新在於使用混合鍵合技術將兩片晶圓接合。
繼去年發佈160層Xtacking4.0產品後，行業觀察家預計該公司會將此架構應用於更高層數產品。
新設計超越了前代180層的技術複雜度，通過優化內部佈局實現了存儲密度的重大突破，達到每平方毫米20千兆比特的業界首創容量。TechInsights估算該設計包含約270層有效存儲層。
報告撰寫人、TechInsights高級分析師Jeongdong Choe表示：“關鍵是中國YMTC實現了技術突圍。通過Xtacking4.0新技術，YMTC似乎找到了突破當前禁令的新路徑。”
長江存儲生產的64層3D NAND閃存晶圓。照片來源：ymtc.com