中國頂級存儲芯片製造商長江存儲縮小與行業領先者三星、海力士、美光的技術差距 | 南華早報

中國領先的動態隨機存取存儲器(DRAM)芯片製造商長鑫存儲(CXMT)已將其製造技術推進至16納米，縮小了與行業巨頭三星電子、SK海力士和美光科技的差距。根據加拿大集成電路研究機構TechInsights的報告，這家總部位於合肥的公司利用先進製程節點開發出消費級芯片，在美國持續制裁下取得顯著突破。新型16Gb芯片採用DDR5技術，該技術預計將在2027年前主導DRAM市場。

報告顯示，這款面積約67平方毫米的芯片實現了每平方毫米0.239Gb的存儲密度。長鑫最新的G4 DRAM技術使其存儲單元比前代G3技術節點減小了20%。

自23納米的G1代和18納米的G2代技術節點以來，長鑫已取得"重大進展"，大幅拉近了與韓國和美國競爭對手的距離。

TechInsights在光威DDR5-6000 UDIMM內存條中發現的長鑫16Gb DDR5芯片。圖片來源：TechInsights

該公司的技術進步成為中國在DRAM存儲芯片領域突破美國製裁取得進展的重要標誌。